石志文
- 作品数：17 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- O<'+>注入在光电器件中的应用
- 石志文庄婉如
- 关键词：光致发光离子注入
- 计算机程序控制电晕极化系统被引量：1
- 2000年
- 研制了计算机程序控制的电晕极化系统 ,系统由 5 86计算机、加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成 ,实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定 ,是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺设备 ,可大大提高工作效率、可靠性、重复性和实验的精度。
- 石志文应志春陈廷杰应冉沂吴荣汉
- InGaAsP/InP 有源时分光子交换器件
- 1998年
- 自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＥＭＰＢＨ双稳激光器及ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。
- 张权生石志文杜云芦秀玲吴荣汉林世鸣
- 关键词：时分复用光通信激光器
- 硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器被引量：1
- 1989年
- 采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.
- 庄婉如石志文杨培生梅野正義神保孝志曾我哲夫
- 关键词：激光器光电集成硅
- InGaAsP／InP MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器被引量：1
- 1996年
- 一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
- 张权生石志文杜云颜学进赵军
- 关键词：双稳激光器
- 空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器
- 1990年
- 我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波长857nm,输出功率可达30mW。
- 石志文罗丽萍林兰英
- 关键词：激光器GAAS单晶
- 电晕极化智能程控系统
- 2003年
- 为非线性聚合物电光材料及调制器项目 ,研究开发了电晕极化智能系统。系统对使用的商品化电源、温度控制器作了相应的改造 ,研制了接口电路 ,用四次多项式校正输入 /输出信号的非线性 ,用VB的时间控件设计极化时间控制程序 ,用基于面向事件的VB开发软件 ,设计了可视化界面 ,以电子表格方式设置、增删实验参数 ,以表格、图形方式显示、存档、再现、打印实验数据。实现了电晕极化时间、温度和高电场的全自动实时控制。
- 应冉沂应志春陈廷杰石志文吴荣汉
- 关键词：智能仪器自动控制电晕极化
- Mach-Zehnder型有机极化聚合物电光调制器(英文)被引量：5
- 2001年
- 制备了一种以三层聚合物为波导材料的 Mach- Zehnder型电光调制器 ,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料 .主要制备工艺为 :旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻蚀 .以 1.3μm和 1.5 5μm半导体激光器为光源 ,以光纤耦合输入脊波导调制器 ,从输出端得到很好单模近场图 ,其中从 Y型两分支波导输出的光强基本相同 .同时在示波器中得到清晰的调制信号 .
- 杨晓红杜云石志文吴荣汉
- 关键词：电光调制器
- 有机电-光聚合物薄膜透射率研究
- 石志文周家云
- 用新型可交联极化聚合物材料制备的脊波导有机电光调制器(英文)被引量：1
- 2001年
- 制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器 ,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料 .旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为主要的工艺步骤。 1.3μm光源光纤耦合输入脊波导调制器 。
- 杨晓红杜云殷爱民石志文吴荣汉
- 关键词：脊形波导
