焦智贤
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- 高电流截止频率GaInP/GaAs HBT
- 1997年
- 本文简要介绍了GaInP/GaAsHBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAsHBT,其电流截止频率高达50GHz,性能优于我们在同等工艺条件下制作的AlGaAs/GaAsHBP.
- 焦智贤蔡克理王全树潘静
- 关键词：双极晶体管砷化镓截止频率
- 提高功率HBT可靠性技术研究
- 功率HBT的可靠性是制约器件实用化的关键因素之一。该文对影响HBT器件可靠性的一些机理进行了分析，开展了相关工艺的研究，并制作了性能良好的器件样品。
- 焦智贤蔡克理
- 关键词：功率HBT
- 文献传递
- AlGaAs/GaAs HBT电压比较器
- 1993年
- 本文对异质结双极晶体管(HBT)电压比较器进行了理论分析,设计并制作了国内第一个AlGaAs/GaAs HBT电压比较器电路。首先,分析了HBT的基本工作原理;然后比较详细地分析了ECL电压比较器的工作原理并进行了设计。随后介绍了HBT的E-M模型,提取了模型参数,并对电路进行了模拟;最后全面介绍了AlGaAs/GaAs HBT电压比较器的制作过程。测试结果表明,HBT器件直流电流增益大于100,f_T为15.2GHz,f_(max)为14.8GHz;电路具有取样和锁存能力,并具有电压比较器的初步功能。
- 焦智贤曾庆明
- 关键词：异质结双极晶体管电压比较器
- 8毫米功率HBT研究
- 1996年
- 简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ；ｆｏ＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。
- 焦智贤蔡克理曾庆明王全树潘静
- 关键词：异质结双极晶体管微波功率HBT
