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洪云翔

作品数:5 被引量:9H指数:2
供职机构:杭州大学电子工程学院电子工程系更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇恒流
  • 3篇二极管
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇外延层
  • 2篇恒流二极管
  • 2篇高稳定
  • 1篇电压
  • 1篇外延层质量
  • 1篇温度系数
  • 1篇稳定性
  • 1篇硅外延
  • 1篇硅外延层
  • 1篇高稳定度
  • 1篇高稳定性
  • 1篇稳定度

机构

  • 4篇杭州大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 5篇洪云翔
  • 2篇吕品桢
  • 1篇范雅俊

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子科学学刊
  • 1篇杭州大学学报...

年份

  • 3篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1990
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种新型高稳定度恒流稳压管的研制被引量:3
1991年
本文介绍了一种将恒流二极管和稳压管集成的新型三端式稳压器件(即恒流稳压管),给出了器件的结构、工作原理和特性参数,并与国外的同型MCLTC管作了性能比较。
洪云翔
关键词:半导体器件
0.1A~8A高稳定性恒流器件研究被引量:4
1994年
提高温度稳定性和展宽恒定电流范围是当前恒流器件应用中的两个突出问题。现有根据长沟道场效应原理制备的两端恒流器件,由于工作机理限制已难指望在上述问题上取得有效的进展。本文介绍一种恒流源电路的模块设计思路,新近研制了在很宽电流范围内连续可调的新恒流器件。测试结果表明,该器件样管的输出电流可达0.1A~8A,电流温度系数低达10^(-4)/℃—10^(-5)/℃。起始电压低于0.4 V,是一种输出电流范围又宽、稳定性又高的高性能器件。
吕品桢范雅俊洪云翔吴荣权徐信业魏海波
外延层质量与恒流器体特性关系的研究
1994年
目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3~5μm,电阻率为1~2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n^+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.
洪云翔张浙源
关键词:外延层二极管
3DH系列可调恒流管性能和原理分析被引量:2
1990年
本文分析了一种新型恒流器件的特性和原理,由于采用恒流二极管供流和实现最佳温度补偿获得了非常稳定的输出电流。器件的动态阻抗大,电流温度系数α_H≤10^(-4)/℃,恒定电流I_H在5—500mA范围内具有连续可调等优点。
洪云翔吕品桢
关键词:半导体器件恒流二极管温度系数
CRD的特性和硅外延层质量控制被引量:1
1994年
本文分析了CRD特性和外延层质量的关系,并报导了改善外延层质量的方法和措施。由于外延层晶格结构以及外延层厚和电阻率的均匀性提高,使CRD的I_H值精确控制和击穿电压V_B值提高有了明显的进展。
洪云翔张浙源
关键词:半导体器件恒流二极管外延层
共1页<1>
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