您的位置: 专家智库 > >

杨剑群

作品数:299 被引量:53H指数:4
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 260篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 78篇电子电信
  • 63篇自动化与计算...
  • 33篇文化科学
  • 14篇一般工业技术
  • 10篇金属学及工艺
  • 6篇机械工程
  • 5篇化学工程
  • 5篇理学
  • 4篇航空宇航科学...
  • 3篇电气工程
  • 2篇天文地球
  • 2篇核科学技术
  • 2篇医药卫生
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 51篇航天
  • 45篇晶体管
  • 43篇航天器
  • 32篇仿真
  • 32篇辐照
  • 30篇空间环境
  • 27篇双极晶体管
  • 27篇能级
  • 26篇电离
  • 26篇深能级
  • 25篇半导体
  • 23篇瞬态
  • 22篇复合材料
  • 22篇复合材
  • 18篇电荷
  • 18篇深能级瞬态谱
  • 17篇原子氧
  • 16篇偏置
  • 14篇电离辐射
  • 14篇电子器件

机构

  • 299篇哈尔滨工业大...
  • 3篇哈尔滨师范大...
  • 2篇中国空间技术...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国船舶科学...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇北京卫星环境...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 299篇杨剑群
  • 287篇李兴冀
  • 126篇吕钢
  • 90篇刘超铭
  • 41篇应涛
  • 38篇马国亮
  • 37篇董尚利
  • 30篇何世禹
  • 29篇魏亚东
  • 26篇崔秀海
  • 20篇李伟奇
  • 18篇骆吉洲
  • 16篇杨德庄
  • 16篇荆宇航
  • 13篇肖景东
  • 10篇刘勇
  • 9篇董善亮
  • 8篇武磊
  • 7篇叶铸玉
  • 6篇刘勇

传媒

  • 10篇物理学报
  • 2篇摩擦学学报(...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇金属热处理
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇材料导报
  • 1篇宇航材料工艺
  • 1篇计算机测量与...
  • 1篇中小企业管理...
  • 1篇黑龙江科学
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇工业技术创新
  • 1篇高教学刊

年份

  • 13篇2024
  • 37篇2023
  • 95篇2022
  • 13篇2021
  • 40篇2020
  • 9篇2019
  • 27篇2018
  • 18篇2017
  • 9篇2016
  • 6篇2015
  • 15篇2014
  • 10篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
299 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种计算带电粒子防护层后能谱的方法
一种计算带电粒子防护层后能谱的方法,本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢,计算时间长,以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短,造成巨大损失的...
李兴冀杨剑群刘超铭吕钢董尚利
文献传递
氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析被引量:5
2019年
本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段.
赵金宇杨剑群董磊李兴冀
关键词:双极型晶体管氢气电离辐射低剂量率辐射损伤增强效应
基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法
本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法,涉及MOSFET模型技术领域。所述自动化检查方法包括:输入待检查MOSFET模型参数;输入并扩展器件工作条件,求解待检查变量;运行检查函数;输出...
杨剑群李兴冀徐晓东崔秀海
芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法
芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法,涉及粒子辐射环境用芳香族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应等效性的评价方法。解决了现有的辐射环境用芳香族聚合物材料空间辐照效应评价误差大的问题。首先计算各辐射源在待测材...
李兴冀杨剑群刘超铭马国亮
文献传递
一种加速度计
本发明提供了一种加速度计,涉及微机电系统领域。所述加速度计包括:上基板和敏感层,所述上基板包括衬底和介质层,所述介质层设置在所述衬底上且靠近所述敏感层,所述介质层与所述敏感层之间设置有间隔层,所述间隔层的厚度大于所述介质...
李兴冀杨剑群关恩昊邢朝洋吕钢董尚利
文献传递
双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法
双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法,涉及材料和器件的辐照试验,属于核科学与技术领域,为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的...
李兴冀杨剑群刘超铭吕钢
文献传递
一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法
一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法,属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器...
李兴冀刘超铭杨剑群肖景东何世禹
文献传递
晶粒尺寸对1 MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响被引量:1
2013年
采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni,并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征.利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源,研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失.通过辐照过程中放置的吸收剂量片来准确表征其电子的能量沉积.结果表明,晶粒尺寸对高能电子在材料中的能量沉积有明显的影响, 1 MeV电子在穿过一定厚度的金属Ni后,在晶粒尺寸细小的纳米晶Ni中测得总的吸收剂量较大,证明了高能电子在纳米材料中的总能量沉积较小,从而表现出纳米材料抗辐照的优异性能.
马国亮李兴冀刘海刘超铭杨剑群何世禹
关键词:高能电子纳米金属
一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质
本发明提供了一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质。该方法包括:构建肖特基‑里德‑霍尔体复合模型,肖特基‑里德‑霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度;将第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度...
李兴冀杨剑群徐晓东崔秀海
一种瞬态电流测试系统及其测试方法
本发明提供了一种瞬态电流测试系统及其测试方法,涉及电路测试领域。本发明所述的瞬态电流测试系统,包括能量注入模块、SET感应模块和采样模块,所述能量注入模块与所述SET感应模块连接,所述采样模块与所述SET感应模块连接;所...
李兴冀杨剑群吕钢
文献传递
共30页<12345678910>
聚类工具0