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朱方

作品数:19 被引量:31H指数:3
供职机构:中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇会议论文
  • 8篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇功率
  • 4篇阈值
  • 4篇高功率
  • 3篇慢波
  • 3篇慢波结构
  • 3篇TM
  • 3篇表面污染
  • 2篇电介质
  • 2篇电压
  • 2篇电压波形
  • 2篇电子注
  • 2篇真空器件
  • 2篇双栅
  • 2篇速调管
  • 2篇同轴
  • 2篇耦合阻抗
  • 2篇微波吸收
  • 2篇微波真空
  • 2篇吸波
  • 2篇校准

机构

  • 19篇中国科学院电...
  • 4篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院国...

作者

  • 19篇朱方
  • 8篇罗积润
  • 6篇张兆传
  • 5篇张雪
  • 5篇范俊杰
  • 4篇戴舜
  • 3篇王勇
  • 2篇谢文球
  • 2篇王勇
  • 2篇范旭东
  • 2篇范俊杰
  • 2篇兰榕
  • 1篇方广有
  • 1篇张玉文
  • 1篇徐艳云
  • 1篇张瑞
  • 1篇张长青
  • 1篇赵鼎

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇微波学报
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 3篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响
2011年
基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像.以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率.结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.
朱方张兆传戴舜罗积润
关键词:蒙特卡罗方法
一种基于CST VBA语言的耦合阻抗计算方法
介绍了一种基于CST中VBA语言的,对慢波结构耦合阻抗的计算方法,此方法使用内嵌在CST内的VBA编译器构建脚本程序,通过后处理模板调用,使用方便.该脚本可以扩展为计算任意慢波结构的群速、相速和谐振腔特性阻抗的程序.
樊宇罗积润谢文球朱方李金磊兰榕
关键词:慢波结构耦合阻抗计算软件脚本代码
TM11模对高功率盒形窗次级电子倍增效应影响的研究
本文对S波段盒形窗内TE11模和TM11模两个模式存在下的次级电子倍增效应进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗次级电子倍增的阈值,通过对比双面法向谐振倍增(法向电场激励)和单面切向倍增(切向电场激励)两种倍增方式...
张雪王勇朱方范俊杰
关键词:阈值
双间隙重叠模输出回路中消除高阶模的方法
本文描述了新型S波段高平均功率速调管宽带输出回路的设计以及在热测过程中发现的自激振荡;为了消除自激振荡,进行了双间隙重叠模输出回路的进一步仿真,分别对高阶模的电场分布和电导率进行了分析和计算。由于TM模式的电场可以引起自...
张兆传王韦龙朱方张玉文
关键词:S波段自激振荡电导率
文献传递
TM11模对高功率盒形窗次级电子倍增效应影响的研究
本文对S波段盒形窗内存在两种波模TE11和TM11进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗电子倍增的阈值,通过对比可能存在的双面法向倍增和单面切向倍增两种倍增方式,证明了TM11模所产生的法向场会使次级电子倍增的阈值...
张雪王勇朱方范俊杰
关键词:阈值
文献传递
TM_(11)模对高功率盒形窗次级电子倍增效应影响的研究
本文对S波段盒形窗内TE11模和TM11模两个模式存在下的次级电子倍增效应进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗次级电子倍增的阈值,通过对比双面法向谐振倍增(法向电场激励)和单面切向倍增(切向电场激励)两种倍增方式...
张雪王勇朱方范俊杰
关键词:阈值
文献传递
金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究被引量:4
2014年
高功率盒形窗内的TM11模法向电场对次级电子倍增现象具有较大的影响,特别是在介质窗片与金属波导壁相对的区域,易发生双面次级电子倍增.采用蒙特卡罗粒子模拟方法,研究了法向电场作用下氧化铝陶瓷窗片与铜波导壁之间的双面倍增敏感曲线、倍增阈值电压、粒子数量的演变过程以及粒子运动轨迹.通过对相关参数的分析,获得了金属壁与陶瓷窗片之间双面谐振倍增和非谐振倍增的规律以及双面倍增向单面倍增转变的特点.此研究可为分析窗片失效机理提供理论依据.
张雪王勇范俊杰朱方张瑞
关键词:蒙特卡罗模拟
微波真空电子器件中电子注通过率的测量方法
本发明公开了一种微波真空器件中电子注通过率的测量方法。本方法通过测量电真空器件管体冷却水的热量变化、电子注电压波形和电子注总电流的方式来计算得到该器件的电子注通过率。该方法简单易行,通过外部功率校准系统等手段消除各种测量...
朱方范俊杰范旭东
文献传递
一种基于CST VBA语言的耦合阻抗计算方法
本文介绍了一种基于CST中VBA语言的,对慢波结构耦合阻抗的计算方法,此方法使用内嵌在CST内的VBA编译器构建脚本程序,通过后处理模板调用,使用方便。该脚本可以扩展为计算任意慢波结构的群速、相速和谐振腔特性阻抗的程序。
樊宇罗积润谢文球朱方李金磊兰榕
关键词:CSTVBA耦合阻抗
文献传递
TM_(11)模对大功率微波输出窗热损耗及耐热性能的影响被引量:3
2015年
基于一S波段圆柱盒型输出窗的电磁仿真与高频介质损耗计算,结合ANSYS软件对窗片温度与热应力分布模拟,探讨高次模式对输出窗热损耗与耐热性能方面的影响。结果表明,存在于窗片表面的TM11模可能加剧输出窗的热损耗,增大窗片承受的温度梯度和热应力,从而导致输出窗的耐热性能与平均功率耐受能力下降。
朱方张兆传罗积润
关键词:热应力
共2页<12>
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