方军
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
- 2008年
- 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
- 关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
- Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究
- 2007年
- 用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。
- 方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤
- 关键词：碲锌镉晶体生长XRD红外光谱
- CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺被引量：5
- 2006年
- 报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。
- 张冬敏朱世富赵北君高德友陈俊唐世红方军程曦
- 关键词：表面处理漏电流电阻率形貌
- 碲锌镉晶体的退火研究
- 唐世红赵北君朱世富高德友何知宇张冬敏方军陈曦
- 关键词：碲锌镉单晶体退火
- 文献传递
- 碲锌镉单晶体的正电子寿命研究被引量：2
- 2006年
- 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃。
- 唐世红赵北君朱世富王瑞林高德友陈俊张冬敏何知宇方军洪果
- 关键词：碲锌镉正电子湮没技术退火
- 碲锌镉探测器晶片退火新工艺
- 本文报道了一种CZT探测器晶片退火的新装置和新工艺，该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同成分源退火研究。实验采用自行设计制作的装置在富Cd的同成分CZT粉末源包裹、在400℃下退火120h。晶片的电阻率、红外透过率等...
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇陈俊张建军张冬敏方军
- 关键词：电阻率红外透射谱探测器
- 文献传递
