徐世红
- 作品数：19 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学技术大学青年科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- Ar^+离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究
- 1993年
- 用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar^+离子的浓度分布有关。
- 徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒徐彭寿许振嘉
- 关键词：异质结砷化镓锗离子注入
- Rb／InP（100）界面的电子能谱研究
- 1994年
- 用光电子能谱技术（ＸＰＳ和ＵＰＳ）研究了Ｒｂ／ＩｎＰ（１００）的界面形成和电子结构．实验结果表明，当Ｒｂ淀积到ＩｎＰ（１００）表面时，它首先表现为物理吸附，形成突变界面．随Ｒｂ复盖量的增加，Ｒｂ向ＩｎＰ体内扩散，Ｒｂ－Ｉｎ之间发生置换反应．此时Ｒｂ－Ｐ形成化学健．退火后，Ｒｂ一部分脱附，一部分向体内扩散．同时，Ｉｎ和Ｐ也向外扩散．在较高的温度下，更多的Ｉｎ向外偏析．
- 徐彭寿徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒许振嘉
- 关键词：碱金属半导体光电子能谱
- 纳米银固体中的微孔道
- 2001年
- 综合分析了高致密度（密度为常规多晶银的９５％）纳米银固体的同步辐射光电子能谱、Ｘ射线光电子能谱和真空加热实验的结果后，发现在高致密度纳米银团体内，除了空隙外，还应当有一定数量的微孔道存在。其中一些微孔道开口于纳米银固体的表面，外界气体可以通过这些微孔道进入纳米银团体内部。
- 徐长山潘海斌陆尔东徐世红余小江徐彭寿张新夷秦晓英张立德
- 关键词：光电子能谱X射线
- 金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究
- 1996年
- 用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge／GaAs（100）异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Na和Mg的薄夹层可使Ge／GaAs（100）的价带偏离分别增加0．19和0．18eV。通过Na，Mg和Al夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。
- 徐彭寿徐世红潘海滨陆尔东朱警生刘先明麻茂生
- 关键词：半导体异质结砷化镓锗
- S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：3
- 1998年
- 前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。
- 胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
- 关键词：砷化镓钝化
- 国家同步辐射实验室同步辐射光电子能谱站的新进展
- 1996年
- 简要地阐述了同步辐射的优越性，介绍了国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）光电子能谐站与光束线的设备．综述了国内主要用户及站上工作人员在金属／半导体界面等方面所开展的工作和一些实验结果．
- 徐世红徐彭寿陆尔东潘海斌余小江张发培
- 关键词：电子能谱金属半导体
- 碱金属-半导体系统与异质结界面的研究
- 徐世红
- Mg/硫化GaSb(100)界面的同步辐射光电子能谱研究被引量：1
- 1996年
- 利用同步辐射光电子谱,研究了[NH_4]_2S_x处理GaSb(100)表面的成键特性和化学组成及室温下Mg淀积到钝化GaSb表面的界面反应和电子结构.结果发现,经过[NH_4]_2S_x处理的GaSb表面,Ca和Sb的氧化物消失,生成Ga和Sb薄层硫化物钝化层.钝化样品退火处理后,Sb_xS_y 硫化物不稳定,分解或进一步与衬底GaSb反应生成单质Sb和GaS成分.室温下,金属Mg淀积到该钝化表面,它与表面GaS成分发生置换反应,生成金属Ca偏析到外表面,而硫以化合态形式保留在界面,Mg淀积在[NH_4]_2S_x处理n-GaSb(100)表面肖特基势垒的形成,由SRPES方法首次测得为0.3eV.
- 余小江潘海斌张新夷陆尔东徐世红徐彭寿赵天鹏
- 关键词：半导体锑化镓光电子能谱
- 铯对GaAs（100）表面氧化的催化作用
- 1994年
- 我们用ＸＰＳ、ＵＰＳ及功函数的测量研究了氧在Ｃｓ复盖的及清洁的ＧａＡｓ（１００）表面的吸附行为．实验结果证明，在０．６ＭＬ的Ｃｓ复盖度下，碱金属Ｃｓ可以使衬底的氧化大大增强．在氧吸附初期（＜１Ｌ），氧优先吸附在碱金属复盖层以下或碱金属原子之间的Ａｓ原子位置上．随氧的暴露量的增加，氧吸附在Ｇａ和Ａｓ的位置上．此时，Ｇａ和Ａｓ独立地被氧化形成Ｇａ_２Ｏ_３和Ａｓ_２Ｏ_３。
- 徐彭寿徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒许振嘉
- 关键词：铯催化
- Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究
- 1997年
- 利用同步辐射光源测量Ｎａ２ｓ二次电子部分产额谱得到Ｎａ诱导Ｓｉ（１１１）３×１结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Ｎａ／Ｓｉ（１１１）３×１吸附结构与Ｍｎｃｈ模型相一致．Ｎａ原子吸附在Ｓｉ的顶位，Ｎａ—Ｓｉ键长为０３ｎｍ．
- 范朝阳张训生唐景昌隋华徐亚伯徐世红潘海斌徐彭寿
- 关键词：半导体结构NEXAFS
