张春权
- 作品数：10 被引量：93H指数：5
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省科技重点项目福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理自动化与计算机技术更多>>
- PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究被引量：5
- 2005年
- 采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力;讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响,并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析,得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
- 吴清鑫于映罗仲梓陈光红张春权杨渭2
- 关键词：PECVD氮化硅聚酰亚胺残余应力
- 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
- 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅...
- 张玉龙张保平罗仲梓蒋书森张艳谷丹丹张春权李燕飞
- 文献传递
- ICP刻蚀技术研究被引量：48
- 2004年
- 介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,研究以SF6为刻蚀气体,不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响.实验结果表明,提高RF1功率和SF6流量,可以提高刻蚀速率和选择比,提高RF2功率虽能提高刻蚀速率但降低选择比,反应室压强上升到1.2Pa时,刻蚀速率达最大值,刻蚀温度为零度时,Si的刻蚀速率最大,开槽宽度对刻蚀速率影响不大.
- 郑志霞冯勇建张春权
- 关键词：感应耦合等离子体干法刻蚀选择比微电子机械系统
- 微机电系统中的矩形通道内微气泡控制生长被引量：4
- 2007年
- 采用微机电系统(MEMS)硅加工工艺,设计、加工出了6种不同规格的实验用微气泡控制生长MEMS器件;构建了MEMS器件中微气泡控制生长实验系统并完成了实验,讨论了热负荷、微加热元宽度、微通道截面参数、工质流速及物性参数等对微气泡生长的影响。结果表明:同等实验条件下,加热电压幅值越高,微气泡生长速率越快;加热脉冲宽度仅对微气泡形成后的进一步生长有影响;加热条件相同的前提下,微加热元宽度越大,气泡成核所需的时间越短、微气泡生长速率越快;微通道宽度一定且高宽比大于1的条件下,高宽比越小,后期微气泡生长速率越慢;微流体的流速越高,微气泡生长始点越晚、生长速率也越低。相同实验条件下,R113、FC-72、去离子水三者中,R113中微气泡生长始点最靠前、生长速率最快,去离子水中微气泡生长最靠后、生长速率最慢。
- 董涛杨朝初毕勤成张玉龙谷丹丹张春权
- 关键词：微机电系统矩形微通道
- 汽车工业用MEMS传感器的研发和产业化及微纳制造产业化平台的建设
- 陈旭远伞海生石鹏傅万里谷丹丹张玉龙张春权蒋树森
- 汽车工业用MEMS(微电子机械系统)传感器是厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心应国内、国外市场发展的要求而自主研发的传感器,包括硅基MEMS红外光源和硅基MEMS压力传感器。项目依托厦门大学4英寸的MEMS生产线，项目实现...
- 关键词：
- 关键词：微电子机械系统压力传感器汽车工业
- PDMS微流控芯片中真空氧等离子体键合方法
- 聚二甲基硅氧烷(PDMS)由于具有良好的力学性质和光学性质以及生物相容性等特点,是极具前景的μTAS应用材料[1].由于固化后的PDMS表面具有一定的粘附力,一对成型后的PDMS基片不加任何处理,即可借助分子间的引力自然...
- 沈德新张春权罗仲梓周勇亮张峰李佳田昭武
- 关键词：聚二甲基硅氧烷微流控芯片力学性质光学性质生物相容性
- 文献传递
- 聚二甲基硅氧烷中真空氧等离子体表面改性与键合被引量：9
- 2005年
- 键合是微流控芯片制作的关键技术之一.目前广泛应用的PDMS微流控芯片一般通过高真空(压力低于10 Pa)氧等离子体活化及键合进行制备,需要昂贵的分子泵等设备.通过工艺改进,使用装配普通油泵的等离子体去胶机,在中真空(27 Pa)成功进行聚二甲基硅氧烷(PDMS)表面改性及键合.处理后的PDMS表面亲水性得到极大改善,贴合后可永久性密封,制作微流控芯片.使用扫描电镜,红外光谱及接触角测量仪进行了表征.与文献报道的高真空氧等离子体处理方法相比,效果基本一致,却大幅度降低了对设备系统的要求,并缩短了操作时间.
- 沈德新张峰张春权罗仲梓陈志扬周勇亮
- 关键词：芯片实验室PDMS键合
- PECVD淀积SiO_2的应用被引量：16
- 2008年
- 研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。
- 吕文龙罗仲梓何熙张春权
- 关键词：PECVDSIO2
- PDMS微流控芯片中真空氧等离子体键合方法被引量：11
- 2003年
- 聚二甲基硅氧烷 (PDMS)由于具有良好的力学性质和光学性质以及生物相容性等特点 ,是极具前景的 μTAS应用材料[1] 。由于固化后的PDMS表面具有一定的粘附力 ,一对成型后的PDMS基片不加任何处理 ,即可借助分子间的引力自然粘合 ,但这种粘合强度有限 ,容易发生漏液。Duffy[2 ] 等人采用高真空氧等离子体对PDMS进行处理 ,实现了PDMS芯片的永久性键合。但这种键合技术需要昂贵的高真空等离子体发生设备。孟斐[3]
- 沈德新张春权罗仲梓周勇亮张峰李佳田昭武
- 关键词：PDMS微流控芯片聚二甲基硅氧烷键合
- 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
- 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅...
- 张玉龙张保平罗仲梓蒋书森张艳谷丹丹张春权李燕飞
- 文献传递
