庄承钢
- 作品数：13 被引量：22H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家基础科学人才培养基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜
- 2008年
- 利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition),在0001取向的SiC和Al2O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率ρ(42K)<0.5μΩcm,很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。X射线相分析图谱上没有MgO的衍射峰出现说明这种方法极大程度上避免了MgB2制备过程最易出现的"氧污染"。较高的磁电阻和低温低场条件下不存在磁通跳跃都说明了样品非常干净。借助一种改进的双加热丝装置,我们在干净MgB2样品基础上实现了可控的碳掺杂,掺碳后的样品超导临界温度下降,剩余电阻率升高,电子平均自由程由于杂质散射作用的增强而得到显著抑制,为符合脏极限的超导样品。
- 庄承钢孟胜张从尧杨欢贾颖闻海虎郗小星冯庆荣甘子钊
- 关键词：碳掺杂
- 高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜
- 利用混合物理化学气相沉积法，在0001取向的SiC和A12O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜，样品具有高于41K的零转变温度，超导剩余电阻率p(42K)<0.5 μΩcm，很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。...
- 庄承钢孟胜张从尧杨欢贾颖闻海虎郗小星冯庆荣甘子钊
- 关键词：碳掺杂超导薄膜化学气相沉积
- 文献传递
- 混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜被引量：4
- 2006年
- 用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。
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- 多晶MgB_2相形成中纳米尺寸硼粉的作用(英文)
- 2006年
- 原料硼粉在MgB2相形成中的作用已经利用原位高温电阻率(HT-ρT)的测量技术进行了研究。MgB2相形成中的起始转变温度Tonset和相转变完成温度TPF在完成了的热处理过程中已直接确定了。用纳米硼粉和镁粉制备MgB2样品(简称为NanoB-MgB2)时的Tonset和TPF这2个温度值分别是440和490℃,类似于用微米硼粉和纳米镁粉制备MgB2样品(简称为MicroB-MgB2)的情况。这表明MgB2相形成的温度并不特别依赖于硼粉的尺寸。另外,烧结温度的上极限TN是750℃,在此温度下NanoB-MgB2样品的超导电性将丧失。此温度远低于用微米硼粉和毫米尺寸的镁粉制备的MgB2样品(简称为DM-MgB2)的TN=980℃。把直接在650℃
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- 关键词：MGB2超导体相形成
- 混合物理化学气相沉积法制备Al2O3衬底MgB2薄膜性质的研究
- 本文用混合物理化学气相沉积(HybridPhysical-ChemicalVaporDeposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起...
- 丁莉莉姚丹陈莉萍庄承钢张开诚陈晋平熊光成冯庆荣
- 关键词：化学气相沉积法
- 文献传递
- Cu衬底MgB_2超导晶须的制备及性质
- 2008年
- 通过混合物理化学气相沉积法,在Cu衬底上制备出长有MgB2超导晶须的厚膜。MgB2晶须顶端直径在1μm左右,根部直径约200nm,长约4μm,整体呈现出六角锥状。通过实验条件的分析,知道衬底表面上方MgB2饱和度不一致,中间较周边低,可能导致了MgB2晶须生长在衬底周边区域。
- 王亚洲庄承钢冯庆荣
- Cu衬底MgB2超导晶须的制备及性质
- 通过混合物理化学气相沉积法，在cu衬底E制备出长有MgB2超导晶须的厚膜。MgB2晶须顶端直径在1μm左右，根部直径约200 nm，长约4μm，整体呈现出六角锥状。通过实验条件的分析，知道衬底表面上方MgB2饱和度不一致...
- 王亚洲庄承钢冯庆荣
- 关键词：气相沉积晶须生长
- 文献传递
