宋建博
- 作品数：17 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- X波段GaN HEMT内匹配器件被引量：2
- 2008年
- 自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.
- 王勇李静强张志国冯震宋建博冯志红蔡树军杨克武
- 关键词：GANHEMT内匹配功率增益功率附加效率
- X波段大功率GaN HEMT的研制
- 2008年
- 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。
- 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武
- 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率
- X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT被引量：4
- 2007年
- 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω.cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.
- 冯震张志国王勇默江辉宋建博冯志红蔡树军杨克武
- 关键词：A1GAN/GANHEMT高输出功率
- 20W X波段GaN MMIC的研究被引量：2
- 2009年
- 张志国王民娟冯志红周瑞胡志富宋建博李静强蔡树军
- 关键词：MMIC微波单片集成电路X波段微波功率器件微带电路电路形式
- 一种GaN HEMT加速寿命试验方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT加速寿命试验方法，该方法包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaNHEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括...
- 潘宏菽宋建博杨中月崔玉兴
- 文献传递
- 高功率、高效率GaN MMIC的研究
- 本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60％，利用该器件采用高工作电压，多偏置点提取器件参数技术，建立了基于M...
- 张志国王民娟崔玉兴马杰李静强宋建博冯志红付兴昌蔡树军
- 关键词：电路设计
- 高性能AlGaN/GaN HEMT的肖特基特性
- 2009年
- 研究了Al GaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化。首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF)∶V(H2O)=1∶5溶液清洗刻蚀后的表面,可以有效减小表面态密度,未经处理的样品肖特基接触理想因子为2.6,处理后理想因子减小到1.8。对Si N钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究,发现Si N钝化膜的折射率为2.3～2.4时,钝化对肖特基特性的影响较小,但反向泄漏电流较大。
- 田秀伟冯震王勇宋建博张志国
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管肖特基接触泄漏电流表面处理表面钝化
- 高效率GaN MMIC优化技术的研究被引量：1
- 2010年
- 使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响。仿真结果表明,驱动比由2(电路1)增加到3(电路2),效率提高10%。工艺上分别实现了两种电路,测试表明,效率由25%(电路1)提高到30%(电路2),验证了仿真结果。电路2在测试频率为8～10 GHz时,脉冲输出功率大于21 W,增益大于15 dB,效率大于35%;频率为8 GHz时,输出功率最大值为25 W,效率最大值为45%,具有较好的性能。
- 张志国秘瑕王民娟李静强宋建博崔玉兴冯志红付兴昌蔡树军
- 关键词：氮化镓微波单片集成电路高功率
- 一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法
- 本发明公开了一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法，其特征在于在欧姆接触金属种引入难容的Mo金属，形成TiAlNiMoAu组合，在相同的合金条件下降低了合金后的表面粗糙度和比接触电阻率。该方法利用Mo的低扩散性，以及...
- 宋建博张志国于峰涛王勇
- 一种GaN HEMT加速寿命试验方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT加速寿命试验方法，该方法包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaNHEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括...
- 潘宏菽宋建博杨中月崔玉兴
- 文献传递
