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孙瑞泽

作品数：76 被引量：10H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程兵器科学与技术环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 47篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 14篇关断
  • 12篇电路
  • 11篇损耗
  • 11篇半导体
  • 10篇漂移区
  • 9篇导通
  • 9篇晶体管
  • 9篇关断损耗
  • 8篇肖特基
  • 7篇导通压降
  • 7篇电压
  • 7篇势垒
  • 7篇晶闸管
  • 7篇绝缘
  • 7篇极区
  • 6篇双极型
  • 6篇阈值电压
  • 6篇肖特基接触
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇集成电路

机构

  • 70篇电子科技大学
  • 13篇电子科技大学...
  • 6篇深圳大学
  • 1篇桂林理工大学
  • 1篇东莞电子科技...
  • 1篇湖北三江航天...
  • 1篇东莞电子科技...

作者

  • 76篇孙瑞泽
  • 50篇陈万军
  • 41篇张波
  • 35篇刘超
  • 30篇夏云
  • 7篇吴毅
  • 5篇陈万军
  • 3篇肖琨
  • 3篇阮建新
  • 3篇李佳
  • 3篇杨骋
  • 2篇贺威
  • 2篇刘熙
  • 2篇曹建民
  • 2篇曹建民
  • 1篇李海翔
  • 1篇王坤
  • 1篇陈楠
  • 1篇李肇基
  • 1篇杨早

传媒

  • 5篇电子与封装
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2025
  • 9篇2024
  • 16篇2023
  • 10篇2022
  • 16篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
共 76 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有高工作电压阈值的栅控晶闸管
本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种具有高工作电压阈值的栅控晶闸管。本发明的结构有两点特效，一是低电压状态时，由于阴极区域的N+型半导体与平面栅分离，在栅极施加电压时，P‑阱中氧化层下方形成的N型沟道并未与N+型半导...
陈万军孙新淇杨禹霄孙瑞泽刘超郑崇芝张波
一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管
本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少...
孙瑞泽罗攀王方洲刘超陈万军
一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件
本发明提出了一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件，包括：采用干法刻蚀形成由多个平面构成的阶梯结构；在欧姆电极区域生长欧姆接触金属并将所形成的阶梯结构完全覆盖；通过快速热退火处理生成低阻导电通道进而形成欧姆...
陈万军罗攀王方洲王茁成孙瑞泽
一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
2014年
传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。
孙瑞泽陈万军彭朝飞阮建新张波
关键词：电流上升率脉冲放电
一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件
本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间...
孙瑞泽吴仁杰王小明马云飞袁文瀚陈万军张波
一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台...
孙瑞泽王茁成罗攀王方洲刘超陈万军
文献传递
一种GaN基HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，...
陈万军王方洲许晓锐孙瑞泽信亚杰夏云刘超张波
文献传递
一种GaN基HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，...
陈万军王方洲许晓锐孙瑞泽信亚杰夏云刘超张波
文献传递
一种基于晶闸管的双向固态直流断路器
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种基于晶闸管的双向固态直流断路器。采用变压器线圈原副边串联，其中同名端都与另一电容的正负极相连、三个无源器件串联形成的换流回路为主导的电路拓扑。通过将部分器件在不同的工作方向用于换向回...
郑崇芝邓时雨杨禹霄孙新淇孙瑞泽刘超陈万军
一种GaN高电子迁移率晶体管的动态导通电阻测试电路
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种GaN高电子迁移率晶体管的动态导通电阻测试电路。本发明的电路包括UIS测试电路、DPT测试电路、钳位电路、驱动电路，特点是两个半导体开关可以选通UIS测试电路和DPT测试电路，可以在...
孙瑞泽马云飞潘慈袁文瀚吴仁杰陈兴欢陈万军张波
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