叶佳宇
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：云南大学物理科学技术学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学金属学及工艺更多>>
- 笼形水合物储氢材料的研究概述被引量：1
- 2009年
- 综述近几十年来国内外笼形水合物储氢材料的研究概况,介绍笼形水合物储氢材料的结构、稳定性,并对不同结构水合物的储氢特性及储氢量进行比较.最后对笼形水合物储氢材料研究中存在的问题及今后的发展方向进行探讨与展望.
- 王安福刘亚丽叶佳宇王靖林何垚
- 关键词：储氢材料储氢
- Zr催化剂对NaAlH_4和Na_3AlH_6可逆储氢性能的影响被引量：1
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,分别计算纯净的以及掺杂Zr的NaAlH4和Na3AlH6的晶格结构常数、能量、电子局域函数和电子态密度.结果表明:NaAlH4和Na3AlH6分别是带隙为4.6和3.1eV的绝缘体;NaAlH4和Na3AlH6中Al—H键是共价键,Na—H键是离子键;Zr原子替代Na原子后,NaAlH4中Zr—H键比原Na—H键强,同时Al—H键变弱;Zr原子替代Al原子后,Zr—H键比原Al—H键弱,使H原子容易脱离.从结合能看,NaAlH4和Na3AlH6掺杂Zr后,结构比原来稳定,脱氢需要的能量降低.
- 叶佳宇刘亚丽王靖林何垚
- 关键词：储氢
- 磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征
- 2010年
- 本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性。
- 王安福刘亚丽叶佳宇王靖林
- 关键词：VO2薄膜磁控溅射退火
- 过渡金属掺杂对NaAlH<,4>储氢性能的影响
- NaAlH4的含氢量高达7.4％，它在中低温下经过两步脱氢反应放出5.6％的氢气。但纯净的NaAlH4分解所需要的高温条件和分解反应的不可逆性，一直制约着NaAlH4作为储氢材料的发展。掺杂过渡金属后，体系的放氢反应在1...
- 叶佳宇
- 关键词：储氢性能第一性原理过渡金属掺杂改性
