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史自鸿

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：河南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电阻
  • 3篇电阻开关
  • 3篇氧空位
  • 2篇导电丝
  • 2篇变式
  • 1篇双极性
  • 1篇PLD
  • 1篇SRTIO3
  • 1篇STO
  • 1篇AU
  • 1篇I-V特性
  • 1篇存储器
  • 1篇Ⅰ-Ⅴ特性

机构

  • 3篇河南大学

作者

  • 3篇史自鸿
  • 1篇丁玲红
  • 1篇孙献文
  • 1篇张伟风

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
阻变式存储器性质的研究
随着科学技术的进步，半导体制造工艺水平的提高，信息产业得到了快速发展。信息存储作为信息技术的一部分也得到了空前进步，存储器正朝着集成度不断提高、外观更加精巧、重量更轻、存取速度更快、存储容量不断增大的方向发展。传统意义上...
史自鸿
关键词：I-V特性电阻开关氧空位导电丝
文献传递
阻变式存储器的性质研究
随着科学技术的进步，半导体制造工艺水平的提高，信息产业得到了快速发展。信息存储作为信息技术的一部分也得到了空前进步，存储器正朝着集成度不断提高、外观更加精巧、重量更轻、存取速度更快、存储容量不断增大的方向发展。传统意义上...
史自鸿
关键词：Ⅰ-Ⅴ特性电阻开关氧空位导电丝
Au/STO/Pt三明治结构阻变存储器性质研究被引量：2
2012年
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt衬底(Pt/TiO2/SiO2/Si)上制备了SrTiO3(STO)薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示:空间电荷限制电流(SCLC)机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。
史自鸿孙献文丁玲红张伟风
关键词：氧空位
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共1页<1>
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