刘夏冰
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Si基Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金生长中C对Ge组分的影响
- 刘夏冰朱顺明程雪梅韩平罗志云郑有矣
- 关键词：SI基合金
- Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性被引量：2
- 2000年
- 采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致发光谱 ( PL谱 )测量显示 ,80 0℃下氧化后的样品在 370 nm和 396nm附近有两个光致发光带 ,1 1 0 0℃下氧化后的样品只在 396nm附近有一个光致发光带 .396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷 O- Si- O ( Si02 )或 O- Ge-O( Ge02 )引起的 ,而 370 nm附近的发光带与薄膜中 Ge-
- 程雪梅郑有炓刘夏冰臧岚朱顺明韩平罗志云江若琏
- 关键词：SI基SIGEC
- 能隙阶梯缓变结构Si_(1-x)Ge_x/Si光电探测器
- 2000年
- 提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大了载流子的离化率 ,价带的不连续则有利于空穴离化 ,从而对载流子的收集有利 ,可获得高的光电响应。实验结果表明 ,该探测器具有良好的I V特性 ,反向漏电低达 0 1μA/mm2 (- 2V)。该探测器主峰值波长在 0 96 μm。其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大 ,在同等条件下其光电流响应约为商用Si PIN探测器的 15倍。
- 罗志云江若琏郑有炓臧岚朱顺明程雪梅刘夏冰
- 关键词：红外光电探测器
- Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：5
- 2000年
- 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明刘夏冰程雪梅陈志忠韩平王荣华郑有斗
- 关键词：光电探测器红外探测器
- Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
- 2000年
- 采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明徐宏勃刘夏冰程雪梅陈志忠韩平郑有炓
- 关键词：光电二极管异质结硅基
- Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究
- 2000年
- 研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 0℃下进行N2氛围下热退火 2 0min。用拉曼谱 (Raman)、俄歇电子能谱 (AES)以及X射线光电子能谱(XPS)等方法对样品进行研究。研究结果表明 ,低温PECVD法生长的Si1 x yGexCy 薄膜是一种亚稳结构 ,Ge/Si1 x yGexCy/Si异质结构在 6 50℃下呈现不稳定性 ,薄膜中的Ge、C相对含量下降 ,且在界面处出现Ge、C原子的堆积。经过 80 0℃下退火 2 0min的样品中C含量基本为 0 ,Ge相对含量下降至约 2 0 %左右 ,且薄膜的组分比较均匀。
- 程雪梅郑有炓韩平刘夏冰朱顺明罗志云江若琏
- 关键词：热退火
- Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究
- 1999年
- 本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式 Ｃ 含量的 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜材料，较低的生长温度和较高的 Ｓｉ Ｈ４ ／ Ｃ２ Ｈ４ 流量比有助于提高代位式 Ｃ 含量和薄膜材料的晶体质量。
- 江宁臧岚江若琏朱顺明刘夏冰程雪梅韩平王荣华胡晓宁方家熊
- 关键词：硅化学气相淀积
- 能隙阶梯缓变结构Si<,1-x>Ge<,x>/Si光电探测器
- 罗志云江若琏陈志忠朱顺明程雪梅刘夏冰南京大学物理系
- 关键词：光电探测器
- Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长被引量：2
- 2000年
- 研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。
- 朱顺明江宁臧岚韩平刘夏冰程雪梅江若琏郑有炓胡晓宁方家熊
- 硅基IV族半导体合金生长及其MonteCarlo模拟
- 该文对Si基Si<,1-x>Ge<x>材料、Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>材料的生长进行了研究,并用Monte Carlo方法对IV族半导体材料的生长进行了模拟.
- 刘夏冰
- 关键词：合金材料激活能
- 文献传递
