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全思

作品数：62 被引量：16H指数：2
供职机构：长安大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇电路
  • 14篇电阻
  • 14篇势垒
  • 12篇反相器
  • 12篇方块电阻
  • 11篇声表面波
  • 8篇电子浓度
  • 8篇声表面波器件
  • 8篇沟道
  • 8篇二维电子
  • 8篇二维电子气
  • 7篇晶体管
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇电阻特性
  • 6篇迁移率
  • 6篇高电子迁移率
  • 6篇高电子迁移率...
  • 6篇ALGAN/...
  • 5篇振荡器
  • 5篇换能器

机构

  • 53篇长安大学
  • 15篇西安电子科技...
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇教育部

作者

  • 62篇全思
  • 48篇文常保
  • 45篇李演明
  • 35篇巨永锋
  • 20篇郝跃
  • 11篇谷文萍
  • 10篇徐小波
  • 9篇温立民
  • 9篇茹锋
  • 8篇张林
  • 8篇王飚
  • 6篇闫茂德
  • 6篇于晓晨
  • 6篇谢元斌
  • 5篇许宏科
  • 5篇杨丽媛
  • 4篇丁娜
  • 4篇茹峰
  • 4篇马晓华
  • 4篇朱博

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2022
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 10篇2016
  • 11篇2015
  • 12篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振
本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度...
全思徐小波李演明文常保谢元斌巨永锋郝跃
文献传递
一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统
本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该...
文常保贾亚飞李演明巨永锋许宏科温立民全思
文献传递
一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路
本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二...
李演明贾亚飞全思温立民文常保
GaN 基超薄势垒增强模式反相器及环振
本实用新型提供一种GaN 基超薄势垒增强模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很...
全思谷文萍李演明文常保谢元斌巨永锋郝跃
文献传递
一种基于多条耦合器的声表面波振荡器
本发明公开了一种基于多条耦合器的声表面波振荡器，包括直流电源和直流干扰滤除电路，所述直流电源的输出端连接直流干扰滤除电路，所述声表面波振荡器还包括共集电极放大电路和电容反馈式电路；所述直流干扰滤除电路与由共集电极放大电路...
文常保巨永锋许宏科李演明温立民全思于晓晨
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一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路
本发明公开了一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；紫外光接收模块连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块连接测量开...
文常保高南刘维宇全思茹锋李演明王飚巨永锋
文献传递
AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应被引量：2
2015年
采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移。分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加。此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小。
谷文萍全思张林徐小波刘盼芝
关键词：中子辐照表面形貌
一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统
本发明公开了一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统，包括核辐射传感器、放大器、测量开关S1、限流电阻、并联忆阻器模块、忆阻器阻值信息处理电路和忆阻器复位电路模块；核辐射传感器依次通过放大器、测量开关S1、限流电阻与并联忆...
文常保洪吉童宿建斌茹锋全思李演明巨永锋
文献传递
增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT(英文)
2008年
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V,ft和fmax分别为5.2和9.3GHz.比较刻蚀前后的肖特基I-V特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在.深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.
王冲张金凤全思郝跃张进城马晓华
关键词：高电子迁移率晶体管ALGAN/GAN槽栅阈值电压
一种GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振
本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低...
全思杨丽媛李演明文常保闫茂德郝跃
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