倪军
- 作品数：28 被引量：52H指数：3
- 供职机构：清华大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 三元Ⅲ一V半导体合金长程有序结构的研究
- 1994年
- 运用原子位形几率波理论对合金中出现的长程有序结构进行了研究。考虑到合金外延生长的特点及合金中相互作用能情况，采用了二维平面模型，并在此基础上提出了平面会构的方法，从而建立起合金外延生长的理论模型，得到了三元Ⅲ一Ｖ半导体合金中所有可能出现的长程有序结构，较好地说明了实验中出现的长程有序现象。
- 顾秉林黄志峰倪军
- 关键词：半导体合金
- (A~ⅢB^V)_(1-x)C_(2x)~Ⅳ 型三元合金的有序结构
- 1993年
- 本文将原子位形几率波理论推广到三元复式格子体系,研究了(A~ⅢB~Ⅴ)_(1-x)C_(2x)^(Ⅳ)型合金最稳定超晶格的原子排列,由理论得到十九种基态有序结构,揭示了原子有序分布的形成规律。
- 王世范倪军段文晖
- MoS2和硼基二维体系的电子结构和量子相
- Transition metal dichalcogenide monolayers MX2 and boron based nanostructures are important 2D materials becau...
- 倪军
- IV族元素纳米管的电子性质研究
- 自从碳纳米管被发现以来，其独特的电学性能引起大家的广泛关注。一般的单壁碳纳米管可以看成是由石墨平面卷曲形成，管的半径和卷曲方式对碳管的电导性质起决定性作用。单壁碳纳米管既可以是金属，也可以是具有不同带隙的半导体(包括直接...
- 杨小宝倪军
- 关键词：碳纳米管电子性质紧束缚模型第一原理计算
- 文献传递
- 利用外延生长中动力学各向异性制备有序取向周期转变超晶格的方法
- 2007年
- 文章报道了关于外延生长中动力学各向异性导致有序取向转变的理论研究结果.以CoPt合金薄膜在Pt缓冲层上的外延生长为例,在生长温度适宜时,研究发现,随生长速率的加快,体系有序结构会逐渐从L10[001]有序过渡到L10[100]有序再发展到无序结构.基于这些机制,文章作者提出了一个制备有序取向周期变化超晶格的方法.
- 石林倪军
- 关键词：薄膜生长超晶格各向异性
- 书评
- 2004年
- 倪军
- 关键词：书评晶体缺陷
- 三元Ⅲ─V半导体合金的基态有序结构被引量：1
- 1994年
- 利用了自旋１／２二维Ｉｓｉｎｇ模型及其“不等式方法”，确定了三元Ⅲ─Ｖ半导体会金（００１）面外延生长中的二维平面基态有序结构和基态相图，并通过层状叠加得到了合金中可能出现的长程有序结构，较好地说明了实验发现的（００１）衬底外延生长中的长程有序现象．
- 童志峰倪军顾秉林
- 关键词：合金基态相图
- 低维硼碳纳米材料第一原理研究
- 2011年
- 介绍了近年来关于低维硼碳纳米材料结构和电子性质的研究工作.通过第一原理计算,从理论上预言了稳定的低维硼纳米结构,并系统研究了以稳定硼平面为基础的硼纳米管和硼纳米带的电子性质.对于硼碳复合纳米材料,以BC3,BC5和BC7有序结构的平面为基础,发现对其剪裁、氢化修饰之后,硼碳纳米结构具有丰富的电磁学性质,可能在未来电子学器件中得到广泛的应用.
- 倪军杨再林
- 关键词：硼纳米材料
- 受限体系中反相畴界诱导的临界现象
- 本文用Monte-Carlo方法模拟受限体系的有序无序相变动力学过程。对受限体系中反相畴界的研究表明,在有序无序相变过程中,受限体系将表现出不同于普通相变的临界现象。在研究受限体系时,本文使用的哈密顿量考虑了晶格原子之间...
- 刘华倪军顾秉林
- 关键词：反相畴界蒙特卡罗模拟计算合金
- 文献传递
- 非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响
- 1999年
- 研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和ＴＥ模光增益所产生的影响。由变分法推导应变沿ｚ轴方向的解析分布。在有效质量理论框架下，采用传递矩阵方法计算应变沿ｚ轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和ＴＥ模光增益。解析推导表明非均匀应变分布与ｘ－ｙ方向的尺度有密切关系。当ｘ－ｙ方向的尺度较小时，阱区内的应变表现为明显的非均匀分布。计算结果表明，非均匀应变对量子线和量子点结构的能带和增益有着极为重要的影响。
- 赵继民倪军胡辉熊家炯朱嘉麟
- 关键词：量子阱结构增益半导体
