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倪军

作品数:28 被引量:52H指数:3
供职机构:清华大学理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇理学
  • 8篇一般工业技术
  • 7篇电子电信
  • 6篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇合金
  • 4篇三元合金
  • 4篇半导体
  • 4篇
  • 4篇V
  • 4篇X
  • 3篇电子输运
  • 3篇电子输运性质
  • 3篇电子性质
  • 3篇输运
  • 3篇输运性质
  • 3篇纳米
  • 2篇电子结构
  • 2篇动力学
  • 2篇动力学研究
  • 2篇亚稳态
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇子结构
  • 2篇相变
  • 2篇纳米管

机构

  • 28篇清华大学
  • 1篇烟台大学

作者

  • 28篇倪军
  • 11篇顾秉林
  • 4篇王世范
  • 3篇朱嘉麟
  • 3篇戴振宏
  • 3篇段文晖
  • 2篇刘华
  • 1篇潘江陵
  • 1篇白晓刚
  • 1篇石林
  • 1篇张刚
  • 1篇石宏霆
  • 1篇赵继民
  • 1篇杨小宝
  • 1篇熊家炯
  • 1篇黄志峰
  • 1篇杨再林
  • 1篇陈曦
  • 1篇林现庆

传媒

  • 6篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇清华大学学报...
  • 2篇物理
  • 2篇2000年中...
  • 1篇科学通报
  • 1篇湖南大学学报...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇物理与工程
  • 1篇计算物理
  • 1篇烟台大学学报...
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇2006年全...
  • 1篇第七届全国凝...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 3篇1994
  • 5篇1993
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
三元Ⅲ一V半导体合金长程有序结构的研究
1994年
运用原子位形几率波理论对合金中出现的长程有序结构进行了研究。考虑到合金外延生长的特点及合金中相互作用能情况,采用了二维平面模型,并在此基础上提出了平面会构的方法,从而建立起合金外延生长的理论模型,得到了三元Ⅲ一V半导体合金中所有可能出现的长程有序结构,较好地说明了实验中出现的长程有序现象。
顾秉林黄志峰倪军
关键词:半导体合金
(A~ⅢB^V)_(1-x)C_(2x)~Ⅳ 型三元合金的有序结构
1993年
本文将原子位形几率波理论推广到三元复式格子体系,研究了(A~ⅢB~Ⅴ)_(1-x)C_(2x)^(Ⅳ)型合金最稳定超晶格的原子排列,由理论得到十九种基态有序结构,揭示了原子有序分布的形成规律。
王世范倪军段文晖
MoS2和硼基二维体系的电子结构和量子相
Transition metal dichalcogenide monolayers MX2 and boron based nanostructures are important 2D materials becau...
倪军
IV族元素纳米管的电子性质研究
自从碳纳米管被发现以来,其独特的电学性能引起大家的广泛关注。一般的单壁碳纳米管可以看成是由石墨平面卷曲形成,管的半径和卷曲方式对碳管的电导性质起决定性作用。单壁碳纳米管既可以是金属,也可以是具有不同带隙的半导体(包括直接...
杨小宝倪军
关键词:碳纳米管电子性质紧束缚模型第一原理计算
文献传递
受限体系中反相畴界诱导的临界现象
本文用Monte-Carlo方法模拟受限体系的有序无序相变动力学过程。对受限体系中反相畴界的研究表明,在有序无序相变过程中,受限体系将表现出不同于普通相变的临界现象。在研究受限体系时,本文使用的哈密顿量考虑了晶格原子之间...
刘华倪军顾秉林
关键词:反相畴界蒙特卡罗模拟计算合金
文献传递
非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响
1999年
研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和TE模光增益所产生的影响。由变分法推导应变沿z轴方向的解析分布。在有效质量理论框架下,采用传递矩阵方法计算应变沿z轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和TE模光增益。解析推导表明非均匀应变分布与x-y方向的尺度有密切关系。当x-y方向的尺度较小时,阱区内的应变表现为明显的非均匀分布。计算结果表明,非均匀应变对量子线和量子点结构的能带和增益有着极为重要的影响。
赵继民倪军胡辉熊家炯朱嘉麟
关键词:量子阱结构增益半导体
随机格点Blume-Emery-Griffths模型的相态分析
倪军顾秉林
关键词:半导体材料合金亚稳态
四元合金 A_x~ⅢB_y~ⅢC_(1-x-y)~ⅢD^v 的有序结构
1993年
随着分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)、金属有机化学汽相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)和有机金属汽相外延(Organometallic vaporphase epitaxy,OMVPE)等生长技术的出现,大量新型半导体合金和超晶格材料被制成。近年来出现的Ⅲ-V族四元合金因其独特的性能引起了人们广泛的重视。它们作为光电器件的基础材料已得到越来越多的应用。例如,利用In_0.5(Al_xGa_(1-x))_0.5P合金的宽带隙和形成双异质结构的性能,可制成短波长激光器和发光二极管;
王世范倪军顾秉林
关键词:超晶格四元合金半导体
机器学习预测材料性质和发现新材料
With the development of theoretical calculations and experimental techniques,many data-driven machine learning...
倪军
二维硼碳基纳米结构上的吸附及其性质被引量:2
2014年
综述金属原子与非金属原子和分子在石墨烯、BC3平面等二维硼碳基纳米结构上的吸附所表现出的各种物理性质及可能的应用.纯净的石墨烯为零带隙的半金属、无磁且自旋轨道耦合效应非常弱,BC3平面为间接带隙半导体,但金属原子与非金属原子和分子的吸附可能使石墨烯体系在Dirac点处打开带隙、具有强自旋轨道耦合效应,可能使石墨烯体系与二维BC3体系具有磁有序、超导电性及应用在氢存储上.另外石墨烯表现出非常好的分子探测性能.
林现庆陈曦倪军
共3页<123>
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