余旭浒
- 作品数：13 被引量：96H指数：5
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
- 2004年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
- 退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响被引量：7
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。
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- 关键词：射频磁控溅射法光致发光
- APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性被引量：1
- 2004年
- 采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.
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- 关键词：APCVD光致发光
- ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(00...
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- 关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
- 文献传递
- 真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响被引量：8
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。
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- 关键词：磁控溅射ZNO:GA真空退火
- 薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响被引量：43
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA薄膜厚度光电性质
- 射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性被引量：15
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒王翠英马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
- 掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性被引量：1
- 2005年
- 采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8．0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85％。
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- 关键词：磁控溅射光电性质
- Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质被引量：2
- 2004年
- 采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。
- 马瑾黄树来计峰余旭浒王玉恒马洪磊
- 关键词：透明导电膜
- 磁控溅射有机衬底ZnO∶SnO_2透明导电膜的结构和光电特性被引量：2
- 2004年
- 采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜。研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质。制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω·cm,可见光平均透过率>82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,氧空位是薄膜中载流子的主要来源。
- 黄树来马瑾计峰余旭浒王玉恒马洪磊
- 关键词：磁控溅射
