任鸣放
- 作品数：11 被引量：44H指数：4
- 供职机构：桂林电子工业学院信息材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 铁电场效应晶体管的建模与模拟被引量：4
- 2006年
- 得到了一个铁电场效应晶体管(MFIS结构)的新的模型,并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式。基于Pao和Sah双积分且考虑了铁电材料的非饱和极化得到漏极电流的精确模拟,并给出了器件模拟结果。通过对器件的模拟,最后总结了一些提高铁电场效应晶体管性能的规律。
- 张玉薇王华任鸣放丘伟
- 关键词：铁电场效应晶体管
- Si基Bi_(3.25)La(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究被引量：1
- 2006年
- 采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3·25La0·75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜未能充分晶化,晶粒细小且有非晶团聚,介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦碌石相或其他杂相,薄膜为多晶生长,具有较好的介电与铁电性能,4V电压下的漏电流密度低于2×10-8A/cm2.随退火温度升高,晶化程度的提升和晶粒尺寸的增大使薄膜的剩余极化增大而矫顽电场降低.600℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜显示了优于Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能,其剩余极化Pr和矫顽电场Ec分别达到17·5μC/cm2和102kV/cm.
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电薄膜
- Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅铁电场效应管ID-VG特性双曲模型
- 2005年
- 在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟。该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件ID-VG特性的影响。结果表明:模拟曲线与实验曲线基本一致,能较好地模拟和描述铁电场效应晶体管的ID-VG特性。
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电场效应晶体管数学模型
- 快速退火工艺条件下温度对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜微观结构与性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能。
- 王华任鸣放
- 关键词：BI4TI3O12铁电薄膜
- La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4–xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,600～650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长;La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10–2,4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10–8A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10–6C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103V/cm。
- 王华任鸣放
- 关键词：无机非金属材料铁电薄膜BLT微观结构
- 铁电存储器及研究进展被引量：10
- 2000年
- 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器 ,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等。
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电薄膜铁电存储器半导体存储器
- Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性被引量：2
- 2006年
- 在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响.研究表明,在合理的工艺条件下可以获得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性;顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力;器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电场效应晶体管BI4TI3O12溶胶-凝胶工艺
- “拍”现象课堂演示实验仪被引量：5
- 1997年
- “拍”现象课堂演示实验仪高文亭任鸣放（桂林电子工业学院，桂林５４１００４）（收稿日期：１９９６－０８－１０）众所周知，振动方向相同，而频率不同的两个简谐振动合成时，如果频率相差不太大，将有“拍”现象发生，即合振动的振幅出现周期性的时而加强、时而减弱现...
- 高文亭任鸣放
- 关键词：简谐振动课堂演示实验仪
- 基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究被引量：17
- 2006年
- 阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。
- 肖华王华任鸣放
- 关键词：磁控溅射溅射靶材光电特性
- MFSM结构铁电薄膜系统I-V特性研究被引量：1
- 1999年
- 为制备符合铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）及铁电存储二极管（ＦＭＤ）要求的高质量铁电薄膜，采用激光脉冲沉积方法（ＰＬＤ）制备了Ａｕ／ＰＺＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 和Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 多层结构的两种铁电薄膜系统。分析表明，在不同的电压范围，起主导作用的导电机制不同：电压低于１Ｖ时，漏电流遵循欧姆定律，电压在２．２～３．０Ｖ时，空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）占主导地位。Ｉ－Ｖ 特性曲线的结果表明Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 结构比Ａｕ／ＰＺＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 结构的漏电流密度低两个数量级，Ｉ－Ｖ 特性曲线回滞窗口增大０．３Ｖ，这说明ＰＺＴ铁电薄膜与Ｓｉ衬底之间加入ＢＩＴ铁电层有助于降低漏电流密度。
- 王华于军任鸣放刘毅
- 关键词：铁电薄膜
