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于鸿艳
作品数:
2
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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合作作者
李梦珂
中国科学院半导体研究所
米俊萍
中国科学院半导体研究所
潘教青
中国科学院半导体研究所
李士颜
中国科学院半导体研究所
周旭亮
中国科学院半导体研究所
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作者
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周旭亮
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李士颜
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于鸿艳
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潘教青
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米俊萍
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李梦珂
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1篇
2016
1篇
2013
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在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜
周旭亮
于鸿艳
李梦珂
米俊萍
潘教青
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在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
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