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么艳萍

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：武器装备预研基金吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇腔面
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇电子器件
  • 2篇氢离子
  • 2篇离子
  • 2篇激光光源
  • 2篇激光器腔面
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇光源
  • 2篇反应离子
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体光电
  • 2篇半导体光电子...
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光光...
  • 1篇氧化速率
  • 1篇面发射

机构

  • 3篇长春理工大学

作者

  • 3篇么艳萍
  • 2篇乔忠良
  • 2篇胡源
  • 2篇曲轶
  • 2篇高欣
  • 2篇李辉
  • 2篇王玉霞
  • 2篇薄报学
  • 2篇卢鹏
  • 2篇刘春玲
  • 2篇马建立
  • 1篇冯源
  • 1篇郝永芹
  • 1篇侯立峰
  • 1篇钟景昌
  • 1篇赵英杰

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究被引量：1
2008年
本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.
冯源钟景昌郝永芹赵英杰侯立峰么艳萍
关键词：垂直腔面发射激光器氧化速率
一种半导体激光器腔面钝化方法
一种半导体激光器腔面钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难度是大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种半导体激光器腔面钝化方法，有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性...
乔忠良薄报学高欣胡源么艳萍王玉霞刘春玲李辉卢鹏曲轶马建立
文献传递
一种半导体激光器腔面钝化方法
一种半导体激光器腔面钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难度是大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种半导体激光器腔面钝化方法，有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性...
乔忠良薄报学高欣胡源么艳萍王玉霞刘春玲李辉卢鹏曲轶马建立
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