丛红侠
- 作品数：3 被引量：15H指数：2
- 供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 发光二极管中负电容现象的实验研究被引量：9
- 2006年
- 对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。
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- 激光二极管正向电特性的检测
- 半导体激光器是当今信息社会中最重要的半导体器件之一，对其电特性的研究一直都是备受重视的课题。本文中我们在此方面的主要工作可以概括如下：
1、在本文中，作者对所在研究小组表征半导体二极管的原有交流小信号法做了非常...
- 丛红侠
- 关键词：激光二极管激光阈值负电容半导体激光器
- 文献传递
- 激光二极管正向电特性的精确检测被引量：8
- 2006年
- 采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此外还观察到,在较低的测试频率和较大的正向电压下,激光二极管的结电容具有负值.
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- 关键词：激光二极管激光阈值负电容
