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黄家乐

作品数:4 被引量:6H指数:1
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇光电
  • 2篇探测器
  • 2篇沟槽隔离
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇硅光电探测器
  • 2篇CMOS工艺
  • 2篇CMOS工艺...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇等效串联电阻
  • 1篇电路
  • 1篇电路模型
  • 1篇电容
  • 1篇响应度
  • 1篇结电容
  • 1篇OEIC
  • 1篇RECEIV...
  • 1篇STI
  • 1篇CMOS

机构

  • 4篇天津大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 4篇黄家乐
  • 4篇毛陆虹
  • 3篇陈弘达
  • 2篇雷晓荃
  • 2篇高鹏
  • 1篇王倩
  • 1篇刘金彬
  • 1篇郭维廉
  • 1篇梁惠来
  • 1篇张世林

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0.25μm MS/RF CMOS
2006年
A monolithically integrated optoelectronic receiver is presented. A silicon-based photo-diode and receiver circuits are integrated on identical substrates in order to eliminate the parasitics induced by hybrid packaging. Implemented in the present deep sub-micron MS/RF (mixed signal, radio frequency) CMOS,this monolithically OEIC takes advantage of several new features to improve the performance of the photo-diode and eventually the whole OEIC.
陈弘达高鹏毛陆虹黄家乐
关键词:OEIC
MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试被引量:1
2006年
设计了一种新型的与MS/RFCMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟。采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试。模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度。
雷晓荃毛陆虹陈弘达黄家乐
关键词:CMOS工艺
带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究
2007年
通过器件模拟并结合实验结果,在已有PIN(Positive intrinsic negative)和DPD(Double photo-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(STI)准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。
王倩毛陆虹梁惠来张世林郭维廉黄家乐
关键词:硅光电探测器电路模型等效串联电阻
MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器被引量:5
2005年
为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RFCMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.
黄家乐毛陆虹陈弘达高鹏刘金彬雷晓荃
关键词:单片集成CMOS工艺硅光电探测器响应度结电容
共1页<1>
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