黄依森
- 作品数：27 被引量：32H指数：3
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 邻苯二甲酸氢钾晶体的缺陷与结构之间的关系被引量：1
- 1989年
- 本文从邻苯二甲酸氢钾(KAP)晶体中位错等缺陷的分布、形态,结合该晶体的微观结构特性,讨论了缺陷与结构之间的关系,并简单地探讨了缺陷的成因。
- 黄依森赵庆兰陈金长
- 关键词：KAP晶体缺陷位错
- 邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶缺陷的X射线形貌研究被引量：2
- 1990年
- 本文叙述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶内部缺陷的X射线投影形貌术研究。实验结果表明主要缺陷是:伯格斯矢量b=±[110]和±[110]的滑移位错和位错环;b=±[100]、±[100]和±[101]的一般位错;母液包裹、气泡或空洞;平行于{111}和{011}型晶面的生长层,以及{111}型平面状缺陷等。同时扼要讨论了它们的可能成因。
- 赵庆兰黄依森
- 关键词：KAP单晶
- 低温相偏硼酸钡单晶的不完整性被引量：3
- 1990年
- 对熔剂法生长的低温相偏硼酸钡(BBO)单晶的不完整性进行了X射线衍射形貌术观测和研究。主要的结构缺陷有钉扎较严重的位错、位错环、包裹物、丝状物、电峙和晶界等,并且简单地讨论了它们的可能成因。
- 赵庆兰黄依森唐鼎元
- 关键词：晶体缺陷
- 邻苯二甲酸氢钾(KAP )单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度被引量：2
- 1989年
- 本文描述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度及其本质的测定结果。提出应用“包裹物点缀”形貌技术测定单晶中大面积应变区本质的实验方法和结果,为深入了解晶体结构内部薄弱环节提供另一可行的途径。
- 赵庆兰黄依森
- 关键词：单晶X射线包裹物
- 邻苯二甲酸氢铷晶体结构对单晶生长习性和缺陷的影响
- 1991年
- 本文介绍溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并阐述结构中分子松散堆积与缺陷形成之间的关系。
- 黄依森赵庆兰
- 关键词：RAP晶体结构
- 邻苯二甲酸氢钾(KAP)晶体结构对单晶生长习性和缺陷的影响被引量：2
- 1990年
- 本文着重叙述溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并且阐述结构中分子松散堆积和缺陷形成之间的关系。
- 赵庆兰黄依森
- 关键词：有机晶体生长习性晶体结构
- 熔盐提拉法生长β-BaB_2O_4晶体被引量：5
- 1990年
- 采用熔盐提拉法从 Na_2O 等助熔剂中生长出高光学质量的非线性光学材料β-BaB_2O_2晶体。最大的透明晶体尺寸达φ46×18mm。晶体生长适宜的拉速和转速分别为0.5—1.0mm/day 和4—8r/min。研究了籽晶的方向对生长速度和质量的影响,讨论了 BBO 晶体生长过程中的固液界面形状问题。最后报导了晶体中一些缺陷。
- 唐鼎元林斯太戴桂琴林绮曾文荣赵庆兰黄依森
- 关键词：偏硼酸钡晶体
- KAP单晶不同位错密度区域点阵常数变化的“就地”双晶测量
- 1991年
- 本文报道用X射线双晶衍射的(n,-n)几何排列对不同位错密度区域点阵常数的测试结果。从一对(001)晶片的(001)晶面的对称反射的测试结果表明,不同位错密度区域的点阵常数变化的最大范围为3.8～1.92×10^(-4)nm。
- 黄依森赵庆兰梁桂金
- 关键词：位错密度点阵常数
- 三羟甲基甲胺单晶缺陷的X射线衍射形貌研究
- 1990年
- 三羟甲基甲胺(Trihydroxymethylaminomethane,缩写为TAM)是一种新型的X射线分光晶体,综合分光性能优于季戍四醇(PET)。X射线形貌鉴定结果表明,除了宏观包裹物和包裹列外,主要是门类繁多的位错,还有面缺陷干涉条纹。文中扼要讨论了缺陷形成的结构影响因素。
- 赵庆兰黄依森
- 关键词：X射线衍射
- 低温偏硼酸钡(BBO)单晶包裹物的X射线形貌衬度被引量：2
- 1990年
- 本文叙述低温相偏硼酸钡β-BaB_2O_4(BBO)单晶包裹物的两套等三角锥形X射线形貌衬度,并且讨论了其衬度的主要来源。
- 赵庆兰黄依森
- 关键词：偏硼酸钡单晶包裹物X射线形貌
