高小奇
- 作品数：11 被引量：39H指数：3
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- 一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法。一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底和衬底上的缓冲层；包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层；包括在缓冲层之上的...
- 郭志友曾坤赵华雄高小奇孙慧卿范广涵
- 文献传递
- Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究被引量：11
- 2010年
- 为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义.
- 高小奇郭志友曹东兴张宇飞孙慧卿邓贝
- 关键词：电子结构
- 一种大功率发光晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法，第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征...
- 郭志友赵华雄孙慧卿曾坤高小奇张建中范广涵
- 文献传递
- Cd∶O共掺杂AIN的电子结构和p型特性研究
- 纤锌矿A1N是近年来深受人们关注的直接宽禁带半导体材料，它在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中拥有最宽的禁带宽度（6.2eV），适于做紫外发光及探测器件.A1N材料具有优良的力学性能、高热导率和热稳定性，使其在高温大功率光电器件方面将有广...
- 高小奇
- 关键词：第一性原理电子结构
- 文献传递
- 一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法。本发明的发光晶体管，在衬底上依次生长着缓冲层、高浓度n型层、本征层、多量子阱层、p型层；缓冲层、高浓度n型层和本征层的外侧依次包裹着氧化物层和金属铝层，在高浓度n型层...
- 郭志友高小奇赵华雄曾坤孙慧卿范广涵
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- 一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法。一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底和衬底上的缓冲层；包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层；包括在缓冲层之上的...
- 郭志友曾坤赵华雄高小奇孙慧卿范广涵
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- Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质被引量：21
- 2010年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明：N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。
- 高小奇郭志友张宇飞曹东兴
- 关键词：ZNO电子结构光学特性
- 大功率金属半导体场效应发光晶体管
- 本发明公开了一种大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于在外延片的衬底上包括中心区的n型电子发射层，边缘区的n型电子发射层，n型电子发射层的中心区与边缘区之间是闭合的栅极区，中心区的n型电子发射层上面生长着量子阱层，...
- 孙慧卿郭志友赵华雄高小奇曾坤张建中范广涵
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- B-N共掺杂改善p型ZnO的理论分析被引量：7
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对B缺陷在ZnO中的存在形式进行了理论分析,对B-N共掺杂ZnO体系的晶格结构、杂质形成能、杂质态密度及电子结构进行了系统的研究.研究表明,B缺陷在掺杂体系中主要以BZn的形式存在,这种结构会引起相应的晶格收缩;研究发现与以往的N掺杂相比,共掺结构具有更低的杂质形成能和更高的化学稳定性,因此更加适合掺杂.此外,共掺能够形成更低的受主能级,因而减小了受主的杂质电离能,提高了受主态密度;研究显示共掺结构下的杂质N原子与体相Zn原子之间的键合能力提高,受主原子得电子的能力增强,因此B-N共掺有望成为一种更为有效的p型掺杂手段.
- 邓贝孙慧卿郭志友高小奇
- 关键词：氧化锌P型掺杂电子结构第一性原理
- 一种大功率发光晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法，第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征...
- 郭志友赵华雄孙慧卿曾坤高小奇张建中范广涵
- 文献传递
