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雷本亮
作品数:
34
被引量:20
H指数:3
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
上海市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
于广辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
齐鸣
中国科学院上海微系统与信息技术...
李爱珍
中国科学院上海微系统与信息技术...
叶好华
中国科学院上海微系统与信息技术...
孟胜
中国科学院上海微系统与信息技术...
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中国科学院
作者
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雷本亮
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于广辉
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齐鸣
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李爱珍
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2004
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2003
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含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长
2007年
研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.
于广辉
雷本亮
孟胜
王新中
林朝通
齐鸣
关键词:
氮化镓
氢化物气相外延
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法,其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中,先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层,然后...
于广辉
雷本亮
叶好华
齐鸣
李爱珍
文献传递
一种用于气相沉积的水平式反应器结构
本发明涉及一种用于气相沉积的水平式反应器的结构,其特征在于采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体构成,整个反应器结构放在水平腔体内,源气和载气进气口和出气...
于广辉
叶好华
雷本亮
李爱珍
齐鸣
文献传递
一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法,其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理,退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(6...
王笑龙
于广辉
隋妍萍
雷本亮
齐鸣
李爱珍
文献传递
采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法,其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜,而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中,先在GaN模板上沉积一层金属Al,再采用电化学的方法...
王新中
于广辉
雷本亮
林朝通
王笑龙
齐鸣
文献传递
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
于广辉
雷本亮
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法,通过在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构,释放继续生长的GaN膜中的应力,从而提高了GaN层的质量。这种方法适合于科学实验和...
关键词:
关键词:
氢化物气相外延
钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法,其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中,先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层,然后在N<Sub>2</Sub>气氛下经热退...
林朝通
于广辉
雷本亮
王新中
王笑龙
齐鸣
文献传递
氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析
近年来,GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展,但是由于缺乏合适的衬底,限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高,能提供生长GaN自支撑衬底而逐渐受到重视。本文对HVPE生长GaN材料进...
雷本亮
关键词:
氢化物
薄膜生长
计算流体力学
文献传递
2英寸厚膜GaN的HVPE方法制备(中科院)
于广辉
李爱珍
齐鸣
雷本亮
本成果涉及两项专利,一个发明专利是:一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的低温插入层及制备方法,其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中,先在Ga...
关键词:
关键词:
GAN
HVPE
衬底
用于厚膜GaN制备的HVPE设备(中科院)
于广辉
齐鸣
雷本亮
李爱珍
本成果涉及一种用于气相沉积的水平式反应器结构设计,其特征在于在水平式反应器中采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体组成,整个反应器结构放在水平腔体内,进气...
关键词:
关键词:
GAN
HVPE
衬底
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