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雷本亮

作品数：34 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 6篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 24篇氮化镓
  • 17篇气相外延
  • 16篇氢化物气相外...
  • 9篇GAN
  • 8篇阳极氧化铝
  • 7篇HVPE
  • 6篇退火
  • 6篇厚膜
  • 6篇衬底
  • 5篇掩膜
  • 5篇位错
  • 5篇纳米
  • 5篇刻蚀
  • 5篇化物
  • 4篇生长温度
  • 4篇气相沉积
  • 4篇纳米线
  • 4篇干法刻蚀
  • 4篇高温退火
  • 4篇薄层

机构

  • 34篇中国科学院

作者

  • 34篇雷本亮
  • 33篇于广辉
  • 32篇齐鸣
  • 26篇李爱珍
  • 14篇叶好华
  • 12篇孟胜
  • 10篇王笑龙
  • 7篇王新中
  • 6篇林朝通
  • 4篇隋妍萍
  • 1篇孟兆祥
  • 1篇李存才
  • 1篇曹明霞

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 11篇2006
  • 2篇2005
  • 6篇2004
  • 1篇2003
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长
2007年
研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.
于广辉雷本亮孟胜王新中林朝通齐鸣
关键词：氮化镓氢化物气相外延
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后...
于广辉雷本亮叶好华齐鸣李爱珍
文献传递
一种用于气相沉积的水平式反应器结构
本发明涉及一种用于气相沉积的水平式反应器的结构，其特征在于采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体构成，整个反应器结构放在水平腔体内，源气和载气进气口和出气...
于广辉叶好华雷本亮李爱珍齐鸣
文献传递
一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(6...
王笑龙于广辉隋妍萍雷本亮齐鸣李爱珍
文献传递
采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜，而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中，先在GaN模板上沉积一层金属Al，再采用电化学的方法...
王新中于广辉雷本亮林朝通王笑龙齐鸣
文献传递
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
于广辉雷本亮
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，通过在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构，释放继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法适合于科学实验和...
关键词：
关键词：氢化物气相外延
钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下经热退...
林朝通于广辉雷本亮王新中王笑龙齐鸣
文献传递
氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析
近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支撑衬底而逐渐受到重视。本文对HVPE生长GaN材料进...
雷本亮
关键词：氢化物薄膜生长计算流体力学
文献传递
2英寸厚膜GaN的HVPE方法制备(中科院)
于广辉李爱珍齐鸣雷本亮
本成果涉及两项专利，一个发明专利是：一种氢化物气相外延（HVPE）氮化镓（GaN）膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在Ga...
关键词：
关键词：GANHVPE衬底
用于厚膜GaN制备的HVPE设备(中科院)
于广辉齐鸣雷本亮李爱珍
本成果涉及一种用于气相沉积的水平式反应器结构设计，其特征在于在水平式反应器中采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体组成，整个反应器结构放在水平腔体内，进气...
关键词：
关键词：GANHVPE衬底
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