陈建军
- 作品数：26 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- Sr3NbGa3Si2O14压电晶体的生长与电弹常数表征
- 近年来,硅酸镓镧(La3Ga5SiO14、LGS)晶体由于其优异的压电性能而被广泛关注,该晶体具有较大的压电系数和三倍于石英晶体的机电耦合系数,同时具有零温度频率系数切型、高温无相变等优点。其晶体结构式可表达为A3BC3...
- 孔海宽陈建军郑燕青忻隽陈辉
- 文献传递
- 一种碳化硅晶体生长用坩埚
- 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部内以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托。本发明的坩埚能够在生长...
- 孔海宽忻隽陈建军郑燕青施尔畏
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- 一种泡泡分散短切碳纤维增强酚醛树脂基复合材料的制备方法
- 本发明涉及一种泡泡分散短切碳纤维增强酚醛树脂基复合材料的制备方法。所述制备方法包括：将向分散在水中的短切碳纤维加入分散剂，利用机械搅拌形成短切碳纤维均匀的水分散体系；向所述水分散体系引入发泡剂和稳定剂，产生泡泡；挤压泡泡...
- 黄政仁朱云洲裴兵兵陈健陈建军殷杰陈忠明刘学建刘岩
- 一种高纯碳化硅原料的制备方法
- 本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过60...
- 陈建军王辉孔海宽忻隽刘熙肖兵杨建华施尔畏
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- 碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法
- 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本发明将简单易得的有机物作为碳...
- 陈建军王辉孔海宽忻隽刘熙肖兵杨建华施尔畏
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- 升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响
- 2013年
- 本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料"倒温度差"区间内温度值变小且减缓反应;同时还使"倒温度差"绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运。同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果。
- 刘熙高攀严成锋孔海宽忻隽陈建军施尔畏
- 关键词：碳化硅生长速率有限元
- 近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究被引量：3
- 2005年
- 本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级。通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果。提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体。
- 郑燕青施尔畏王绍华陈辉卢网平孔海宽陈建军路治平
- 关键词：近化学计量比
- A<,3>BC<,3>D<,2>O<,14>类晶体材料的结构和压电性能
- A3BC3D2O14结构类压电晶体是近年来人们比较关注的一类新型压电晶体。较之于α-石英晶体，这类结构中已经发现的晶体具有压电系数大(α-石英的2～3倍)、机电耦合系数高(α-石英的2～3倍)、存在零频率温度系数的切型、...
- 陈建军
- 关键词：第一性原理计算压电晶体压电性能布里渊散射
- 一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚
- 本发明提供了一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托；所述生长室的侧壁...
- 孔海宽忻隽陈建军郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：8
- 2013年
- SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。
- 高攀刘熙严成锋忻隽陈建军孔海宽郑燕青施尔畏
- 关键词：SIC晶体粒径堆积密度
