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钟国柱

作品数：47 被引量：97H指数：5
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 14篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 45篇发光
  • 37篇电致发光
  • 9篇ZNS
  • 8篇薄膜电致发光
  • 7篇电致发光薄膜
  • 7篇硫化锌
  • 7篇发光薄膜
  • 6篇硫化
  • 6篇发光器件
  • 5篇电致发光器件
  • 4篇氮化
  • 4篇有机薄膜电致...
  • 4篇显示器
  • 4篇亮度
  • 4篇交流电致发光
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇TB
  • 3篇平板显示
  • 3篇稀土

机构

  • 34篇中国科学院长...
  • 17篇中国科学院长...
  • 8篇中国科学院长...
  • 2篇南开大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 47篇钟国柱
  • 14篇范希武
  • 10篇李文连
  • 10篇虞家琪
  • 8篇孙甲明
  • 6篇赵丽娟
  • 6篇孙刚
  • 4篇申德振
  • 4篇刘益春
  • 3篇赵彦立
  • 3篇刘星元
  • 3篇宋航
  • 2篇张吉英
  • 2篇赵国璋
  • 2篇彭俊彪
  • 2篇赵宇
  • 2篇孔祥贵
  • 2篇孙刚
  • 2篇赵旭
  • 2篇于沂

传媒

  • 20篇发光学报
  • 3篇光电子．激光
  • 3篇中国稀土学报
  • 3篇第四届全国发...
  • 2篇吉林大学自然...
  • 2篇物理
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇稀有金属
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇首届中国功能...
  • 1篇全国第一届Ⅱ...
  • 1篇第八届全国发...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 5篇1999
  • 6篇1998
  • 4篇1997
  • 11篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 4篇1989
  • 3篇1986
  • 1篇1985
  • 1篇1979
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
射频磁控反应溅射生长AlN薄膜被引量：4
1999年
用射频磁控反应溅射方法，在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的影响．发现退火能使薄膜的结晶性得到改善。
赵彦立钟国柱范希武李长华
关键词：ALN阴极射线发光氮化物磁控溅射
射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究
1998年
首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递．
孙甲明钟国柱钟国柱范希武
关键词：电致发光磁控溅射
衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响
1998年
利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．
孙甲明钟国柱钟国柱范希武
关键词：电致发光衬底温度表面形貌亮度
氮化铝薄膜及其掺锰的光致发光被引量：2
1999年
用射频磁控反应溅射的方法，以 Ａｌ及 Ａｌ＋ Ｍｎ Ｆ２ 为靶材，石英玻璃为衬底，在不同的射频功率下，制备了 Ａｌ Ｎ 多晶态和非晶态两类薄膜。发现非晶态薄膜吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动２０ｎｍ 。对于非晶态薄膜，通过喇曼光谱的分析，得到了 Ａｌ Ｎ 薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属 Ａｌ和块状 Ｍｎ Ｆ２ 共溅射的方法，制备了 Ａｌ Ｎ： Ｍｎ Ｆ２ 薄膜，在退火后的多晶态样品中，测得了 Ｍｎ 的特征光致发光。
赵彦立钟国柱范希武李长华
关键词：氮化铝溅射光致发光
无机材料的薄膜电致发光被引量：3
1999年
平板显示技术是信息时代对终端显示的基本要求，薄膜电致发光显示器具有全固体化平板显示的特点，是一种全新的终端显示器件．文章扼要介绍了薄膜电致发光原理，综述了电致发光材料尤其是蓝色和白色发光材料的研究进展，指出了目前存在的问题和解决方案。
赵丽娟张光寅钟国柱
关键词：电致发光彩色化平板显示器
有机薄膜器件中Tb^（3＋）的电致发光被引量：1
1996年
研制了用有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ做发射层的绿色发光二极管，二层结构为玻璃衬底ＩＴＯ／芳香族二胺类衍生物ＴＰＤ／Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ／Ａｌ．各功能层均用真空热蒸发的方法制备．在正向直流偏压驱动下获得了Ｔｂ（３＋）的特征发光，同时还发现一个峰位４２５ｎｍ的蓝光发射，它来源于空穴输运层ＴＰＤ．在室温条件下器件的阈值电压为５Ｖ，当驱动电压提高到１５Ｖ时，器件的最高发光亮度达到２００ｃｄ／ｍ２．讨论了器件的有机电致发光与各功能层膜厚及驱动电压的关系，同时发现有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ能够传输电子．探讨了有关稀土有机电致发光的发光机理等．
孙刚李文连赵宇于沂赵旭刘星元钟国柱虞家琪
关键词：电致发光铽离子有机薄膜器件显示器件
金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜的交流电致发光(ACEL)特性
1989年
本文报导了不同浓度的金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜交流电致发光(ACEL)的特性,并进行了比较。实验结果表明:ZnS:ErF_3薄膜ACEL的最佳浓度(5×10^(-3)g/g)低于ZnS:Er^(3+)薄膜ACEL的最佳浓度(1×10^(-2)g/g)。在ZnS薄膜中掺入稀土离子,随着浓度的增加,稀土离子之间发生交叉弛豫,这一过程与稀土离子周围环境有关,这正是ZnS:ErF_3和ZnS:Er^(3+)薄膜ACEL具有不同的最佳浓度的主要原因。
孟立建钟国柱
关键词：硫化锌薄膜
新型ACTFEL材料MgS:Eu2+的发光
1引言交流薄膜电致发光(ACTFEL)显示器是一种很有发展前景和应用价值的平板显示器。目前,ZnS:Mn的橙黄色电致发光屏已进入实用阶段,开发彩色显示器件是ACTFEL领域中一个迫切需要解决的课题。研究表明,稀土掺杂的碱...
付国柱郝光李长华钟国柱
文献传递
SrS∶HoF_3薄膜的电致发光机制被引量：8
1999年
研究了ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的光谱特性，分析了光谱与驱动电压的关系，认为ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜电致发光不是以直接碰撞激发机制为主；方波脉冲激发下没有看到下降沿发光的现象，可能不存在发光中心离化的过程．比较ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的电致发光与光致发光光谱，认为过热电子碰撞激发基质晶格。
赵丽娟钟国柱张光寅
关键词：电致发光
用聚合物作空穴输运层的纯Tb^（3＋）发射发光二极管被引量：5
1996年
用聚合物作空穴输运层的纯Ｔｂ^（３＋）发射发光二极管孙刚，赵宇，李文连，于沂，虞家琪，钟国柱，赵旭（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放实验室，长春１３００２１）在上一篇文章中，我们报导了以Ｔｂ（ＡｃＡ）３·Ｐｈｅｎ?..
孙刚赵宇李文连于沂虞家琪钟国柱赵旭
关键词：发光二极管
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