2024年7月17日
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赵彦
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5
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院电工研究所
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
周春兰
中国科学院电工研究所
周肃
中国科学院研究生院
王文静
中国科学院电工研究所
汤叶华
中国科学院研究生院
陈静伟
中国科学院电工研究所
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氧化铝铝/氮化硅叠层钝化晶体硅表面的特性研究
层沉积(ALD)方法制备的氧化铝在不同掺杂类型和浓度的单晶硅上都有着良好的钝化作用.我们用热型ALD 方法沉积氧化铝薄膜,研究了不同厚度氧化铝对单晶硅表面的钝化效果;并对叠层结构(氧化铝/氮化硅双层薄膜)的钝化效果及反射...
赵彦
周春兰
汤叶华
周肃
王文静
关键词:
原子层沉积
反射率
氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜的气泡研究
氧化铝作为p型太阳电池的背面钝化层有非常重要的应用,氧化铝/氮化硅叠层薄膜是实现背面局域接触的重要结构.但是,在叠层薄膜的制备中会遇到气泡问题,影响了薄膜的钝化效果.本文研究了单层、叠层薄膜中出现的气泡现象,总结了气泡的...
赵彦
周春兰
汤叶华
周肃
王文静
关键词:
钝化工艺
优化设计
文献传递
太阳电池中新腐蚀液实现纳米黑硅表面的一步腐蚀制备
被引量:2
2013年
通过引入添加剂,调节腐蚀溶液的pH值,实现了一步法制各黑硅表面.在取得低表面反射率的同时,减小了黑硅层的腐蚀深度,对于16rain腐蚀的黑硅层,其表面加权平均反射率可达5%(300-1200nm),但腐蚀深仅约为200nm.减小腐蚀深度能够降低黑硅太阳电池的表面复合速率,从而提高太阳电池性能,尤其是开路电压及填充因子.以新腐蚀液制各的黑硅为衬底,在常规太阳电池产线上制备大面积P-Si黑硅太阳电池,实现了15.63%的转换效率,具有高的开路电压(62432mv)和填充因子(77.88%),改进了大面积黑硅太阳电池的性能.
汤叶华
周春兰
周肃
赵彦
王文静
费建明
曹红彬
硅片切割工艺对表面损伤层结构及碱制绒工艺的影响
线切割技术相比于传统砂浆切割技术具有切割速度快,切割精度高和材料损耗低等优点,是一种具有很大潜力的硅片切割技术.但是金刚线切割所得硅片表面损伤层结构与传统砂浆切割所得硅片表面损伤层结构有很大差异,可能对后续电池生产工艺造...
周肃
周春兰
王文静
汤叶华
陈静伟
闫保军
赵彦
关键词:
太阳能电池
金催化多孔结构黑硅太阳电池的研究制备
结构黑硅表面具有很低的反射率,本文采用金催化湿法化学腐蚀方法制备低表面反射率的多孔黑硅表面结构.本文研究了不同腐蚀时间、不同掺杂程度多孔黑硅太阳电池的输出参数变化及性能变化.同时对多孔黑硅太阳电池目前所存在的问题进行了探...
汤叶华
周春兰
王文静
周肃
赵彦
陈静伟
闫保军
费建明
曹洪彬
关键词:
纳米孔
太阳电池
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