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许岗

作品数:60 被引量:128H指数:7
供职机构:西安工业大学材料与化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目西安应用材料创新基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 45篇期刊文章
  • 11篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

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  • 12篇一般工业技术
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  • 5篇金属学及工艺
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  • 2篇自动化与计算...
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  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学
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主题

  • 18篇晶体
  • 6篇电极
  • 6篇形貌
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  • 4篇气相外延
  • 4篇晶核
  • 4篇晶体形貌
  • 4篇SIO
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶体
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  • 3篇溶液法
  • 3篇石英
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  • 3篇疏水性
  • 3篇气相生长
  • 3篇气相外延生长
  • 3篇籽晶
  • 3篇温控
  • 3篇温控系统

机构

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  • 2篇浙江工商大学
  • 2篇中国船舶集团...
  • 1篇西安交通大学
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  • 1篇陕西有色榆林...

作者

  • 59篇许岗
  • 17篇李高宏
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  • 11篇谷智
  • 7篇陈卫星
  • 7篇杨觉明
  • 7篇靳长清
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  • 6篇李俊英
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  • 4篇陈平
  • 4篇夏峰
  • 4篇王喜锋
  • 4篇杨丛笑
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  • 2篇张海礁
  • 2篇余斌霄
  • 2篇王素敏

传媒

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  • 7篇西安工业学院...
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  • 2篇无机化学学报
  • 2篇材料导报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇化工机械
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中小企业管理...
  • 1篇产业与科技论...
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
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  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
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  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
60 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
极化方式对弛豫铁电单晶光学和电学性能的影响
2024年
针对传统弛豫铁电晶体透光率的问题,文中选择了三方相结构三元弛豫铁电单晶25PIN 44PMN 31PT,沿[001]方向对晶体进行了常温直流和交流极化,对比并分析了两种极化样品的透光率和介电压电性能。研究结果表明:交流极化后,样品透光率在可见光波段达到70%,室温下相对介电常数提高了18%,压电系数和逆压电系数分别提高了9.7%和11%。交流极化可以去除对光产生散射的71°畴壁,提高了材料透光率;交流极化样品中畴的极化旋转更加容易,因而具有更高的介电压电性能。
张斌斌许岗王领航黄苗苗尹煜
关键词:透光率
拉伸试棒模具结构对铸造铝合金组织的影响
2024年
针对现有的国家标准铝合金的试棒浇注模具,浇注的试棒存在夹渣、气孔、缩松、冷隔等铸造缺陷,无法合理反映合金的真实力学性能的现状,本文使用ANSYS等软件,利用流体静力学和传热学原理科学的分析了直浇道的倾斜角度和内浇道与集渣腔连接的位置铝合金组织的影响,设计了一种铝合金拉伸试棒的铸造模具。模拟结果表明,直浇道的倾斜角度为70°时,流体流速波动范围最小;内浇道与集渣腔连接的位置为集渣腔压心时,集渣腔集渣过滤效果最佳。浇注实验结果表明,本模具成型的ZL205A和ZL101试棒平均晶粒和枝晶间距均优于GB/T1173-2013模具成型试棒组织。分析认为,合理的流速控制(直浇道的倾斜角)和集渣腔高度设计有利于试棒获得晶粒细小,铸造缺陷少的组织。
李飞李高宏黄亮余申卫许岗
关键词:铝合金金相组织
一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法
本发明属于化学液相沉积领域,具体涉及一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明克服现有技术存在的溶液析出时溶剂的污染和反应副产物难以去除的问题。本发明提供了一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法:利用化合物黄色氧化汞(HgO...
许岗郭炎飞谷智南瑞华李高宏陈卫星王素敏王奇观冯启蒙
文献传递
α-HgI_2多晶体合成工艺优化被引量:2
2011年
针对传统的两温区气相合成高纯HgI2多晶体方法(工艺1)原料损失多、产量低等缺点,通过工艺优化,采用单温区安瓿旋转高温合成工艺(工艺2)合成了HgI2多晶粉体.对比了两种工艺条件下合成产物的物相和杂质含量,结果表明:相对于工艺1,工艺2中由于安瓿旋转和反应温度高,原料反应充分,HgI2多晶体的产量从占合成产物总量的30%增大到90%.工艺2中杂质总量在10×10-6以下,达到HgI2单晶体生长要求.
许岗李高宏介万奇夏峰
关键词:合成工艺
共沉淀-超临界流体干燥法制备掺镧ZAO纳米粉被引量:9
2006年
采用共沉淀-超临界流体干燥法制备出掺La3+离子的ZAO(ZnO、Al2O3复合氧化物)纳米粉.采用XRD、TEM等检测手段研究了La3+的加入、超临界流体干燥处理工艺和晶化温度对粉末特性的影响.结果表明:在260℃×7.5MPa×0.5h的超临界流体条件下,得到平均粒度小于20nm,高的比表面积,近球形的ZAO粉体.有效的改善了粉体的团聚程度.且不需要晶化处理即为六方晶型的ZAO纳米粉.
刘秀兰杨觉明李建平许岗
关键词:共沉淀超临界流体干燥团聚
AuCl_3/HgI_2与Au/HgI_2接触的I-V特性表征被引量:1
2008年
利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×1011Ω.cm和8.1×1011Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.0291.分析认为溅射Au工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.AuCl3电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性.
许岗介万奇
关键词:电极电压-电流特性
HgCl_2-KI-H_2O溶液体系中碘化汞(α-HgI_2)籽晶层生长研究
2016年
为提高气相沉积碘化汞(α-HgI_2)多晶薄膜定向生长效果,研究了HgCl_2和KI溶液化合反应法制备用于同质外延的HgI_2籽晶层的生长工艺.建立了HgCl_2/KI=1∶1~1∶6(摩尔比)的反应体系,通过改变体系中碘离子([I]^-)浓度,研究了液相体系的反应过程.通过紫外-可见分光光度计研究了反应体系中组元转变特征,采用偏光显微镜分析了不同浓度下晶体结晶形貌和分布特征.UV光谱表明:随着[I]^-浓度增大,体系中出现[HgI2]n聚体并导致吸收峰红移,以及K[HgI_3]·H_2O吸收峰出现蓝移.宏观形貌分析表明:籽晶层粒度和覆盖度随[I]^-浓度增大而增大,晶粒逐渐发育充分.[HgI_2]n聚体的形成导致电子能级密度增加,跃迁能量降低,形成红移;孤对电子浓度增大在K[HgI_3]·H_2O出现电子从非键轨道向反键轨道的跃迁现象,形成蓝移.当HgCl_2/KI=1∶6时,覆盖度最佳.分析认为,控制高浓度体系中反应速率可降低晶粒堆垛现象.
赵盼盼许岗冯亚西邱海蔡李俊英
关键词:溶液法覆盖度
溶胶-凝胶法一步工艺制备疏水性FAS-SiO_2复合薄膜
2005年
尝试一种利用溶胶-凝胶法制备防腐蚀透明疏水性薄膜的新方法(一步工艺),即按照传统溶胶凝胶工艺配制FAS-SiO2混合溶液,再加入已具有胶体特性的TEOS溶液,配制性能稳定的涂覆用溶胶。通过对溶胶进行差热热重分析确定胶体的特性;利用红外光谱仪对薄膜表面结构进行表征;在不同的热处理温度下比较薄膜接触角的大小。当薄膜在300℃热处理,其接触角达到113°,薄膜表面质量良好,附着力达到GB1720—88相应一级;薄膜的防腐蚀能力良好。
许岗杨觉明陈卫星
关键词:溶胶-凝胶法耐热性机械强度
一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法
本发明涉及碘化汞(α-HgI<Sub>2</Sub>)单晶体生长技术领域,具体指一种生长碘化汞(HgI<Sub>2</Sub>)单晶体立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法。本发明为解决现有技术存在的温控系统复杂、生...
许岗李高宏介万奇夏峰王喜锋王春景
文献传递
基于逻辑拓扑的虫孔攻击检测
2008年
虫孔攻击(wormhole attack)是一种主要针对无线传感器网络的重大安全威胁,通常难以检测和预防.分析了虫孔攻击对于网络节点邻居数目的影响,提出了一种基于网络逻辑拓扑的攻击检测方法.在假设实现了某种邻居节点发现过程的前提下,首先对网络节点进行邻居数目判断和连通性检测,筛选出可能的受攻击节点集合;随后根据攻击特征对候选节点集合进行分析判断,从而确定是否存在虫孔攻击.与现有检测算法相比,该方法能进一步区分位于隧道两端的受攻击节点集合,从而降低相应的安全风险.初步分析表明,虽然可能受节点密度、攻击半径、攻击位置以及其他随机因素的影响,但通过必要的修正措施仍然可以得到较为可信的检测结果.该方法无时间同步和节点定位要求,算法复杂度大致为O(n).
余斌霄许岗李同强
关键词:无线传感器网络逻辑拓扑
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