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蒋煜婧

作品数:4 被引量:4H指数:2
供职机构:北京理工大学更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇纳米晶
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电极
  • 1篇氧化锡
  • 1篇碳化硅
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇接触特性
  • 1篇二氧化锡
  • 1篇SEM
  • 1篇SIC材料
  • 1篇SNO2薄膜
  • 1篇FE
  • 1篇传输线
  • 1篇传输线模型

机构

  • 4篇北京理工大学

作者

  • 4篇蒋煜婧
  • 3篇王占和
  • 1篇郝群
  • 1篇吴海霞
  • 1篇祝侃
  • 1篇邢懋腾
  • 1篇詹杰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光学技术
  • 1篇第二届全国纳...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
纳米晶SnO<,2>薄膜的结晶特性
采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O<,2>,在衬底温度为150~400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO<,2>:Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向.测量了SnO<...
王占和吴海霞蒋煜婧邢懋腾詹杰
关键词:磁控溅射纳米晶二氧化锡
文献传递
SiC材料接触特性研究
该文内容主要分为三部分.第一部分论述了SiC材料的结构、电学、化学等特性及其应用领域.第二部分讨论了SiC肖特基接触和欧姆接触的形成原理,并根据CFS理论中在隧道作用中起重要作用的参数E<,∞>与kT的关系,判定了SiC...
蒋煜婧
关键词:碳化硅肖特基接触欧姆接触
文献传递
纳米晶氧化锡薄膜的接触特性被引量:2
2001年
在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0~ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻。
王占和郝群祝侃蒋煜婧
关键词:纳米晶电极传输线模型接触特性
纳米晶SnO2薄膜的结晶特性被引量:2
2003年
采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150-400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2:Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向,测量了SnO2:Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE—SEM表面及断面形貌。
王占和吴海霞蒋煜婧邢懋腾詹杰
关键词:磁控溅射纳米晶SNO2薄膜
共1页<1>
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