罗炳成
- 作品数：26 被引量：65H指数：5
- 供职机构：西北工业大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 光栅结构锰氧化物超晶格的光磁电调控
- 裴环宇张云婕郭蜀晋任丽霞闫虹陈长乐金克新罗炳成
- 掺杂稀土锰氧化物的外场诱导特性研究
- 掺杂稀土锰氧化物R<,1-x>A<,x>MnO<,3>(R：三价稀土元素，A：二价碱土元素)具有天然钙钛矿结构，是典型的电子强关联体系，由于其具有庞磁电阻效应和外场敏感性，使其在信息技术领域有着潜在的应用前景。庞磁电阻效...
- 罗炳成
- 关键词：钙钛矿锰氧化物椭偏光谱隧道结
- 文献传递
- 掺杂锰氧化物La_(0.85)Sr_(0.015)MnO_3薄膜的自旋输运特性被引量：7
- 2007年
- 采用磁控溅射方法制备了二价碱土元素微量掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3(LSMO)薄膜。电阻-温度关系表明,薄膜在273K时发生铁磁金属-顺磁半导体相变。在磁场和激光作用下,薄膜呈现出不同的响应特性:在整个测试温度区间内,磁场作用使薄膜电阻变小,在243K时,取得最大磁电阻变化率为21%;激光辐照薄膜在不同的相态显示出不同的变化特性,在铁磁金属态导致电阻增大,而在顺磁半导体态则致使电阻减小。从能带理论的角度定性地分析了产生该现象的原因是外场对eg电子的作用不同。
- 金克新陈长乐赵省贵罗炳成王建元陈钊高国棉袁孝
- 关键词：输运特性JAHN-TELLER效应
- YMnO_3薄膜的铁电行为及其纳米尺度铁电畴的研究
- 2014年
- 六方YMnO_3是一种特殊的多铁性材料,因其具有介电常数低、单一极化轴、无挥发性元素等特点,在磁电领域具有独特的优势,但目前关于YMnO_3薄膜的铁电性特别是畴结构的研究相对较少.本文采用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备了多铁性YMnO_3薄膜,利用掠入射X-射线衍射、原子力显微镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,用压力显微镜(PFM)技术研究了纳米尺度畴结构及微区电滞行为,并通过I-V,P-E曲线进一步研究了薄膜的漏电流和宏观电滞行为.结果表明,该薄膜为六方钙钛矿结构,YMnO_3晶粒大小均匀并且结晶性较好,薄膜表面粗糙度为7.209 nm.PFM图显示出清晰的电畴结构,结合典型的微区振幅蝴蝶曲线和相位电滞回线,证实该YMnO_3薄膜具有较好的铁电性.由于受内建电场的作用,振幅曲线和相位曲线都向正向偏移,表现出非对称特征.该薄膜的漏电流密度低于10^(-6)A·cm^(-2),因而其电滞回线基本能够达到饱和.
- 张润兰邢辉陈长乐段萌萌罗炳成金克新
- 关键词：铁电性
- Bi_(1-x)Ba_xFe_(1-y)Mn_yO_3陶瓷的磁性和介电性研究被引量：2
- 2010年
- 溶胶-凝胶法制备了Bi1-xBaxFe1-yMnyO3陶瓷样品,研究掺杂对BiFeO3(BFO)的微观结构、磁性及介电性能的影响。XRD表明Bi1-xBaxFe1-yMnyO3为单相菱方钙钛矿结构,BiFeO3的磁滞回线表明其在室温具有反铁磁性(弱铁磁性),Ba和Mn掺杂后使体系由反铁磁性向铁磁性转变。BiFeO3和Bi0.9Ba0.1FeO3介电常数随温度变化曲线在200和230K下均出现转变点,但掺杂Mn时体系转变点消失。当外加磁场时,介电常数的测量表明Ba和Mn掺杂能够增大BFO的磁介电效应。
- 周超超陈长乐罗炳成谭兴毅宋贵芝
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 单相Bi_(0.9)Ba(0.1)Fe_(0.85)Mn_(0.15)O_3陶瓷中的多铁性被引量：8
- 2009年
- 溶胶-凝胶法制备了Bi0.9Ba0.1Fe0.85Mn0.15O3陶瓷样品,XRD分析显示其为单相菱方钙钛矿结构,明显的磁滞回线和电滞回线说明其在室温具有弱铁磁性和铁电性,介电常数随外磁场的变化显示双掺样品具有更大的磁容效应.
- 罗炳成周超超陈长乐金克新
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 一种与半导体Si集成的人工神经元及其应用
- 本发明涉及光电信息转换技术领域，特别是涉及一种即时宽谱响应的Si集成人工神经元及应用。本发明通过元件结构的设计以及材料的选择，通过调控载流子被捕获及释放的动力学过程来调制其光电导，解决当前人工神经元在收集光电信号的不足(...
- 罗炳成刘正源
- 衬底温度对PLD法生长的Mg_(0·05)Zn_(0·95)O薄膜结构和发光特性的影响被引量：11
- 2008年
- 用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0·05Zn0·95O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理.
- 吴小丽陈长乐韩立安罗炳成高国棉朱建华
- 关键词：PLD衬底温度光致发光
- 镧掺杂BaSnO_3薄膜的电学和光学特性被引量：1
- 2015年
- 利用射频磁控溅射法在(LaAlO_3)_(0.3)(SrAl_(0.5)Ta_(o.5)O_3)_(0.7)(001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO_3外延薄膜.通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO_3薄膜具有n型简并半导体特征,并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m_0(m_0为自由电子质量).镧掺杂BaSnO_3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%).基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合,从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm,能带宽度为3.43 eV、带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律,而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性.
- 费潇罗炳成金克新陈长乐
- 关键词：光学性质
- (La,Pr)_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3薄膜激光诱导电阻效应被引量：3
- 2006年
- 研究了钙钛矿锰氧化物La2/3Sr1/3MnO3和Pr2/3Sr1/3MnO3单晶薄膜的激光诱导电阻变化特性。低温铁磁金属相,激光诱导使薄膜的电阻增大,而在顺磁绝缘相则电阻减小,同时薄膜的绝缘体-金属相变(IMT)转变温度Tp向低温方向移动。对于Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜,当激光功率为22mW时,光致电阻相对变化的最大值约为9.6%。光诱导效应致使薄膜的电阻发生变化,并使其IMT的转变温度点向低温方向移动,主要是由于光子能激发eg向下电子的跃迁,改变体系自旋极化方向。
- 赵省贵陈长乐金克新罗炳成高国棉陈钊韩立安
- 关键词：电子自旋
