秦玉香
- 作品数：89 被引量：61H指数：5
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用
- 本发明公开氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-2...
- 秦玉香柳杨谢威威刘成胡明
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- 银颗粒修饰的聚吡咯—氧化钨核壳异质结构纳米棒及其制备方法和应用
- 本发明公开银颗粒修饰的聚吡咯—氧化钨核壳异质结构纳米棒及其制备方法和应用，通过液相聚合工艺在一维氧化钨纳米棒表面实现聚吡咯壳层均匀聚合的同时，同步实现聚吡咯—氧化钨核壳异质结构的银颗粒修饰，从而制备出具有聚吡咯壳层均匀覆...
- 秦玉香王立萍王霄飞崔震
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- 一维硅基阵列微结构及其制备方法和在气体传感器中的应用
- 本发明公开一维硅基阵列微结构及其改性方法和在气体传感器中的应用，金属辅助化学刻蚀形成硅纳米线阵列和二次刻蚀进行纳米线表面改性。该发明为发展与CMOS工艺兼容的、具有高室温敏感性能的硅基气体传感器研究提供了一种有效的工艺增...
- 秦玉香崔震赵黎明姜芸青
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- 一种硅纳米线—聚吡咯复合材料的制备方法
- 本发明公开一种硅纳米线—聚吡咯复合材料的制备方法，以硝酸银和氢氟酸对单晶硅片进行金属辅助化学刻蚀，以在单晶硅片形成垂直于表面的硅纳米线，然后在单晶硅片表面旋涂十二烷基苯磺酸和过硫酸铵的混合溶液，再置于密闭聚合装置中，吡咯...
- 秦玉香崔震刘雕王泽峰
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- 氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线及其制备方法
- 本发明公开氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线及其制备方法，将氧化钨纳米线悬浊液逐滴滴入吡咯聚合反应液中，并向上述混合溶液中滴加浓盐酸，调节上述混合液的PH至1‑4，继续磁力搅拌0.5‑3h，然后向上述溶液中逐滴滴加过硫酸铵...
- 秦玉香张天一王克行刘雕
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- 一种三氧化钨一维结构纳米线与多级纳米结构的制备方法
- 本发明公开了一种三氧化钨一维结构纳米线与多级纳米结构的制备方法，采用水热法制备出形貌可控的从一维结构纳米线到多级结构的WO<Sub>3</Sub>纳米材料。通过控制两个主要参数：水热反应时间与温度，在氧化铝基底表面直接合...
- 秦玉香刘长雨刘梅柳杨谢威威
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- 钒掺杂W_(18)O_(49)纳米线的室温p型电导与NO_2敏感性能被引量：2
- 2013年
- 钨氧化物纳米线在高灵敏度低功耗气体传感器中极具应用潜力,且通过掺杂改性可进一步显著改善其敏感性能.本文以WCl6为钨源,NH4VO3为掺杂剂,采用溶剂热法合成了钒掺杂的W18O49纳米线.利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱仪表征了纳米线的微结构,并利用静态气敏性能测试系统评价了掺杂纳米线的NO2敏感性能.研究结果表明:五价钒离子受主掺杂进入氧化钨晶格结构,抑制了纳米线沿轴向的生长并导致了纳米线束的二次集聚;室温下,钒掺杂W18O49纳米线接触NO2气体后表现出反常的p型响应特性;随工作温度逐渐升高至约110 C时,发生从p型到n型的电导特性转变;该掺杂纳米线气敏元件对浓度低至80 ppb(1 ppb=10 9)的NO2气体具有明显的室温敏感响应和良好的响应稳定性.分析并探讨了钒掺杂W18O49纳米线的高室温敏感特性及其p-n电导转型机理,认为钒掺杂W18O49纳米线在室温下的良好敏感响应及反常p型导电性与掺杂纳米线表面高密度非稳表面态诱导的低温气体强吸附有关.
- 秦玉香刘凯轩刘长雨孙学斌
- 关键词：氧化钨纳米线气体传感器
- 基于改性硅纳米线的气敏元件及其制备方法和应用
- 本发明提供基于改性硅纳米线的气敏元件及其制备方法和应用，包含p型或n型单晶硅片基底和铂电极，所述单晶硅片基底与铂电极之间有经刻蚀改性形成的粗糙表面硅纳米线阵列敏感层。对硅基片上原位形成的硅纳米线进行各向异性后刻蚀结构改性...
- 秦玉香刘雕王永垚崔震
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- 基于氧化钨/氧化钛核壳纳米线的气敏元件及其制备方法
- 本发明公开基于氧化钨/氧化钛核壳纳米线的气敏元件及其制备方法，采用由氧化钨/氧化钛核壳纳米线组成的阵列为核心，在基底上设置铂电极，在铂电极和阵列之间设置钨钛复合层。在本发明的技术方案中，以对气体吸附和反应具有催化活性的超...
- 秦玉香张晓娟王克行张天一刘雕胡明
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- 碳纳米管场发射冷阴极材料的研究进展被引量：1
- 2006年
- 碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的冷阴极材料,在平面显示领域具有潜在的应用价值。根据显示器件的特性,详细论述了CNTs冷阴极材料的场发射特性以及各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对场发射性能的影响;介绍了图形化CNTs冷阴极的常用制作工艺;对目前存在的问题进行了分析。
- 秦玉香胡明李海燕
- 关键词：碳纳米管场发射特性冷阴极
