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祃龙

作品数：4 被引量：15H指数：3
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇HEMT
  • 2篇小信号
  • 2篇小信号模型
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电流崩塌
  • 1篇薛定谔
  • 1篇薛定谔方程
  • 1篇误差分析
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN材料
  • 1篇HEMT器件
  • 1篇I-V特性
  • 1篇泊松

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇祃龙
  • 3篇余志平
  • 3篇王燕
  • 2篇田立林
  • 1篇鲁净

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法被引量：3
2007年
为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.
鲁净王燕祃龙余志平
关键词：GANHEMT误差分析
AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究被引量：3
2005年
实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。
祃龙王燕余志平田立林
关键词：泊松方程薛定谔方程二维电子气
新型GaN材料化合物半导体HEMT器件建模与特性研究
祃龙
关键词：电流崩塌小信号模型
AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性被引量：10
2004年
在考虑 Al Ga N / Ga N异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上 ,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程 .通过模拟计算 ,研究了 Al Ga N / Ga N HEMT器件掺杂层 Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响 .用准二维物理模型计算了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的输出特性 ,给出了相应的饱和电压和阈值电压 ,并对计算结果和 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的结构优化进行了分析 .
祃龙王燕余志平田立林
关键词：ALGAN/GANHEMT二维电子气
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