申功烈
- 作品数：11 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 电色膜和电色器件的光电特性
- 1996年
- 介绍了电子束蒸发沉积WO3膜在0．5mol/LH2SO4溶液和NiOx膜在1molKOH溶液中的电色性能；介绍了沉积到玻璃片上的ITO膜作透明导电电极、光学上活性的WO3阴极变色膜作工作电极、光学上活性的NiOx阳极变色膜作反电极（贮存电荷试样的贮存器）和1molLiClO4丙酮溶液的电解质作锂离子导体组成的互补型电色器件的光电特性。
- 申功烈
- 关键词：着色脱色电解质
- 基于WO3膜,V2O5膜和Li聚合物凝胶电介质构成的电色器件
- 1999年
- 基于玻璃／ＩＴＯ／ＷＯ３／ＰＭＡ＋ＬｉＣｌＯ４＋ＰＣ／Ｖ２Ｏ５／ＩＴＯ／玻璃结构的叠型电色器件的研制是为潜在作大面积的Ｓｍａｒｔ窗用。制备的聚合物凝胶电介质室温时最大的离子电导率为１．９２×１０＾－３Ｓ／ｃｍ，在波长４００～２０００ｎｍ范围的透射比为７５％～９０％，并且有优良的自粘两个玻璃电极的能力。对这种叠型ＷＯＰ３／Ｇｅｌ／Ｖ２Ｏ５器件，在６３３．
- 申功烈孙瑜
- 过渡金属氧化物薄膜的离子敏变色效应
- 1995年
- 过渡金属氧化物薄膜是重要的离子敏变色材料,也是光开关功能方面的灵巧(smart)材料.由它构成的电—光器件具有广阔的应用前景,其工作原理属固态离子学,或微离子学.过渡金属氧化物薄膜是宽能带间隙半导体,在可见光波段完全透明.
- 申功烈
- 关键词：氧化物薄膜过渡金属半导体材料
- 塑料晶体管制造工艺—半导体工业的第二次革命(下)
- 2003年
- 本文介绍了三种塑料晶体管制造工艺,即印戳印刷、喷墨打印和旋转涂敷工艺,并简单说明了塑料晶体管目前存在的一些问题。
- 申功烈
- 关键词：塑料晶体管半导体工业喷墨打印
- 电色Ｓｍａｒｔ窗
- 综述电争Ｓｍａｒｔ窗的由来，设计准则，窗的基本结构和各层膜特性，某些试制型窗的实例，最后探讨了窗的耐久性问题。
- 申功烈
- 关键词：导体
- 锆铝吸气剂合金对氢的热脱附
- 1989年
- 利用“闪炼灯丝脱附技术”,我们研究了锆铝吸气剂对氢的热脱附。实验结果表明其脱附谱出现双峰,第一个峰呈现一阶脱附作用,第二个峰呈现二阶脱附作用,它们的脱附活化能分别是2.15千卡/克分子和4.24千卡/克分子。并对热脱附的实验数据进行了分析和讨论,从而进一步深化了锆铝吸气剂对氢的吸附和脱附机理的本质认识。
- 申功烈金贤德
- 关键词：热脱附活化能
- 薄膜聚合物存储器被引量：1
- 2003年
- 本文介绍了薄膜聚合物存储器的体系结构,驱动线路,制造工艺,以及它在存取速度、功耗、存储容量、生产能力、制造成本和日常运用等方面的性能特点。
- 申功烈
- 关键词：体系结构
- 固态薄膜可重编程的模拟可变电阻存储器的制造和性能
- 1998年
- 介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作为用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底，即衬底／Ni／WO3／SiO／Cr2O3／SiO／Al。用电压控制H+离子可逆地内插和去插到WO3薄膜来调制电阻。一个吸湿的Cr2O3薄膜用作H+离子源。该器件电阻可以特制和稳定在很宽的动态范围（约105～109Ω），并且编程速度受控制电压调制。讨论了该器件在响应速度、可逆性、稳定性和循环性方面的适应能力。
- 申功烈欧军李自高付秉相王莉
- 电色smart窗被引量：6
- 1995年
- 综述了电色smart窗的由来、设计准则、窗的基本结构。介绍了组成窗的各层膜特性，某些试制型窗的实例、还探讨了电色开关窗器件的耐久性问题。
- 申功烈
- 关键词：电介质
- 基于三氧化钨膜、五氧化二钒膜和聚合物电介质构成的电色器件
- 申功烈孙瑜
