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王顺勇

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇带电
  • 2篇绝缘膜
  • 2篇二次电子
  • 1篇电路
  • 1篇电路测试
  • 1篇电子显微术
  • 1篇信号
  • 1篇信号分析
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路测试
  • 1篇CARLO模...
  • 1篇MONTE
  • 1篇表面电场

机构

  • 2篇西安交通大学
  • 1篇大阪大学

作者

  • 2篇王顺勇
  • 1篇张海波
  • 1篇冯仁剑

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
负带电绝缘膜表面电场与二次电子成像信号分析
为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测时所利用的负带电成像原理,在Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式的条件下,利用Monte-Carlo方法摸拟了点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程,同时描述了二次...
王顺勇
关键词:扫描电子显微术二次电子绝缘膜表面电场
文献传递
绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性被引量:2
2004年
为分析 IC多层版图扫描电镜 (SEM)对准检测所利用的负带电成像原理 ,采用 Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式 ,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了 Monte Carlo模拟 ,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布 .在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹 ,获得了 SEM像的二次电子信号电流 .结果表明 ,在弱负带电条件下 ,照射点处表面电位越低 ,返回表面的二次电子就越多 ,对应的二次电子信号电流越弱 .此结果与
冯仁剑张海波王顺勇Katsumi URA
关键词:绝缘膜二次电子MONTECARLO模拟集成电路测试
共1页<1>
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