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王芳芳

作品数:3 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇晶格
  • 2篇红外
  • 2篇长波
  • 2篇长波红外
  • 2篇超晶格
  • 1篇态密度
  • 1篇探测器
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇钴60
  • 1篇灵敏度
  • 1篇面阵
  • 1篇敏度
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
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  • 1篇光电探测系统

机构

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作者

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  • 1篇赵云峰
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传媒

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  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高灵敏度Ⅱ类超晶格长波红外探测系统研究被引量:3
2019年
以Ⅱ类超晶格320×256长波红外探测器为核心部件,开发了一套高灵敏度长波红外探测系统.介绍了Ⅱ类超晶格红外探测器的技术指标及系统的主要结构和工作方式.为充分发挥该红外探测器的灵敏度,设计了高灵敏度信息获取系统,并介绍了该信息获取系统的软硬件设计.该信息获取系统采用了自适应信号调理技术,以降低信息获取噪声,提升探测系统的灵敏度和动态范围.最后对整套长波红外探测系统开展了信息获取噪声测试、系统性能测试及外场成像实验.实验结果表明:长波红外探测系统的信息获取噪声低至0. 065 m V,系统的噪声等效温差(NETD)达到19. 6 m K,黑体探测率为7. 72×1010,外场成像质量良好,图像细节清晰,对比度高.该长波红外探测系统有利于推动Ⅱ类超晶格红外探测器在高灵敏度长波红外遥感探测中的应用.
饶鹏张磊赵云峰赵云峰许佳佳许佳佳
关键词:光电探测系统长波红外高灵敏度
DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度
2018年
直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考.
王芳芳王芳芳曾传滨高林春李晓静高林春
关键词:总剂量效应界面态
320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器被引量:6
2014年
报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
许佳佳陈建新周易徐庆庆王芳芳徐志成白治中靳川陈洪雷丁瑞军何力
关键词:长波红外探测器INAS/GASB焦平面阵列
共1页<1>
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