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王真: 作品数：23 被引量：44H指数：3; 供职机构：上海电力学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市地方高校能力建设项目更多>>; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学医药卫生更多>>

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基于概率转移矩阵的电路可靠性并行计算方法被引量：5: 2008年; 随着电路集成度的提高,软差错已经成为影响可靠性的关键因素.概率转移矩阵是一种用于估计软差错对电路影响的有效方法,它通过对门级电路建立概率模型来计算电路的可靠性.本文基于概率转移矩阵研究计算电路可靠性的并行方法,提出了一种电路分割算法,在对电路进行划分后,并行地计算各个模块的概率转移矩阵,再合成对应于整个电路的概率转移矩阵.其中,引入了代数决策图压缩矩阵存储空间.初步的实验结果表明,该并行算法可以有效地减少21.46%的平均时间开销.; 王真江建慧沈君华史哲文; 关键词：转移矩阵

一种新的票据自动识别系统被引量：2: 2006年; 设计了一种基于主曲线和粗糙集方法相结合的新颖的票据自动识别系统.首先提出一种高效的数字框定位技术、边框处理方法,并用于从票据中提取待识别数字串;然后建立有效的数字串分割算法来分割数字串;最后利用主曲线和知识约简算法进行数字特征提取和分类器设计.实验结果表明,该方法在实践中是可行的,为各种票据自动识别提供了一条新途径.; 张红云苗夺谦夏富春王真; 关键词：票据主曲线知识约简

考虑偏置温度不稳定性的软差错率分析被引量：1: 2017年; 纳米工艺下,老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要。该文分析偏置温度不稳定性(BTI),包括负偏置温度不稳定性(NBTI)和正偏置温度不稳定性(PBTI)对软差错率的影响,提出从关键电荷值和延迟两个因素综合考虑。首先分析BTI效应下两个因素如何变化,推导了延迟受BTI影响的变化模型,介绍关键电荷的变化机理。然后探讨将两个因素结合到软差错率(SER)评估中,推导了融入关键电荷值的SER计算模型,提出将延迟的变化导入到电气屏蔽中的方法。基于ISCAS89基准电路上的实验验证了综合两种因素考虑BTI效应评估SER的有效性和准确性。; 王真江建慧陈乃金; 关键词：集成电路

氧化物修饰电极的制备及其在苯胺废水处理中应用: 苯胺是一种对环境有较大危害的“三致”物质，又是一种难降解有机污染物。随着经济的发展，苯胺的生产和使用量不断增加，进入环境的苯胺的量逐年增多，对环境造成危害。开展对废水中的苯胺的治理研究有直接的现实和环境意义。 ...; 王真; 关键词：苯胺废水电催化降解废水处理; 文献传递

考虑版图级因素的PTM中故障感染率的计算: 概率转移矩阵模型是用于评估门级电路可靠性的一种方法，它假定基本门的故障感染概率p，需要建立电路输入到输出的概率转移矩阵。为了使评估更加准确，本文将芯片生产中的低层因素结合到门级模型，初步探讨了故障感染概率p的构成机理，考...; 王真江建慧; 关键词：短路故障开路故障; 文献传递

HS主曲线的数学特性被引量：2: 2005年; 主曲线被定义作穿过多维数据分布“中间”的满足“自相合”的光滑曲线,它是第一主成分的非线性推广,第一主成分是对数据集的一维线性最优描述。HS主曲线强调非参数模型,对其参数无关性本文给出了具体证明。同时为了全面理解主曲线,本文以空间主曲线为例,分析了它的横截性质。; 王真苗夺谦张红云; 关键词：横截性

一种基于近似电路脆弱性分析的电路测试方法: 本发明涉及一种基于近似电路脆弱性分析的电路测试方法，该测试方法包括以下步骤：步骤1：针对近似电路推导某个节点信号翻转时的可靠度公式，进而得到此节点感染时近似电路失效率的计算方法；步骤2：以近似电路中不同节点作为感染源计算...; 王真温蜜刘伟景王勇; 文献传递

门级电路可靠性评估方法比较: 2014年; 针对软差错影响下的电路可靠性问题,选取了TP算法、EPP方法和PTM方法 3种门级电路可靠性评估方法,分别介绍其原理,并结合实验指出了它们的功能、适用范围以及复杂度.; 王真; 关键词：电路可靠性

主曲线算法初始值选取的分析: 2007年; 主曲线是一种用于数据压缩和特征提取的有效方法,是对主成分分析的非线性推广。由于主曲线与主成分的密切联系,主曲线生成算法通常以第一主成分线做初始值。然而实验发现第一主成分未必是算法初始化的最佳选择。本文将以HS算法和多边形算法为例,就初始值的选取对生成主曲线的影响做出分析并通过实验得出结论:HS算法以原点作初值效果较好,多边形算法应根据数据点集的不同结构选择合适的初值。; 王真曹立明; 关键词：主曲线主成分

BTI作用下三因素对集成电路软差错率的影响被引量：1: 2018年; 在纳米工艺下,老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要,目前,考虑多个因素分析老化效应对软差错率影响的工作相对较少.作为一种典型的老化效应,偏置温度不稳定性(bias temperature instability,BTI)效应包括发生在PMOS中的负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)和发生在NMOS中的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI),现有工作多聚焦在单个因素在NBTI下的影响.在BTI作用下门延迟对软差错率(soft error rate,SER)的影响研究工作的基础上,进一步研究了单粒子瞬态(single event transient,SET)故障脉冲宽度和关键电荷对SER的影响.首先通过考虑PBTI,完善了在BTI作用下基于32nm工艺SET脉宽的变化模型;然后分别研究了如何在SER的计算中考虑SET脉宽和关键电荷的影响,提出了SET脉宽变化可以反映在模拟注入电荷量的变化上的结论.通过HSPICE仿真验证和C++实验表明:3个因素中延迟和SET脉宽对SER影响较小,受BTI应力影响SER将增大,应力作用初期影响最为明显,之后影响将变缓.; 王真王真江建慧卢光明张颖