王永生
- 作品数：71 被引量：52H指数：5
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程经济管理更多>>
- 基于自适应模式选择的像素级三向帧内预测方法
- 基于自适应模式选择的像素级三向帧内预测方法，涉及数字图像和视频的压缩编码领域，具体涉及像素级三向帧内预测方法。本发明为解决现有预测方法无法以较小的代价提供准确的预测结果，无法使残差得到最大程度的集中的问题，提供了基于自适...
- 王进祥徐伟哲付方发宣茜玮王永生来逢昌
- 文献传递
- 带有AGC的622Mbps光纤前置放大器
- 2008年
- 设计一种带有自动增益控制(AGC)的光纤接收跨阻前置放大器(TIA),应用于SDH系统STM-4速率级(622Mbps),采用CSMC 0.6μm CMOS工艺实现。电源电压3.3V,差分输出。仿真结果显示,可允许的信号输入范围较大(-32dBm到+3dBm),小信号输入增益高达86.9dBΩ,相位分裂器的有源电感负载有效提高了电路的带宽约70%,放大器的等效输入电流噪声为4.34pAHz。
- 王进祥徐一王永生王洋
- 关键词：CMOS工艺跨阻放大器自动增益控制
- 可兼容电子收集和空穴收集的像素探测器中的像素电路
- 可兼容电子收集和空穴收集的像素探测器中的像素电路，涉及半导体集成电路设计领域。本发明是为了解决现有分别采用不同的装置对带有负电荷的电子和带有正电荷的空穴进行放大处理，分辨率低、使用效率低的问题。本申请通过前置放大器、比较...
- 王永生崔嘉炜李蕾付方发
- 文献传递
- 一种低噪声、高电源抑制的低压降稳压器被引量：1
- 2008年
- 实现了一种低噪声、高电源抑制(PSR)的低压降线性稳压器。设计了一个新型的低温度系数高电源抑制的带隙基准源,这个基准源可以为稳压电路提供参考电压。采用带有低通滤波器的预调制电路来降低稳压器的输出噪声和高频电源行波干扰。测试结果表明,该稳压器的线性调整率为0.57mV/V,负载调整率为0.1mV/mA,100kHz下的交流电源抑制为-60dB。在10Hz～1MHz频率范围内,仿真得到的总输出噪声只有4μVrmss。该稳压器采用上华CSMC0.6μm、5V混合信号CMOS工艺设计,有效芯片面积为600μm×560μm。
- 李景虎王永生喻明艳
- 关键词：电源抑制低压降稳压器带隙基准源
- 采用JTAG结构实现SoC芯片的片上仿真器及接口
- 片上仿真(On Chip Emulation)是系统级芯片(System-on-a-Chip,SoC)进行调试与诊断的新型方法.本文讨论一种采用JTAG结构实现SoC芯片片上仿真器的方法.此方法已应用于以C<'*>COR...
- 王永生叶以正巫镜廷
- 关键词：系统级芯片JTAG
- 文献传递
- 基于时间数字转换器的锂电池电流检测电路及检测方法
- 基于时间数字转换器的锂电池电流检测电路及检测方法，涉及锂电池电流检测电路及检测方法。它解决了现有锂电池电流检测电路的检测速度低、检测电路复杂的问题，本发明基于TDC的电流检测电路中的斜坡信号发生器的输出和敏感电阻两端的电...
- 喻明艳王永生罗敏宗士新
- 文献传递
- 基于非一致CA的低功耗确定测试向量发生器的设计
- 本文提出了一种新的低功耗确定测试向量发生器的综合算法,该向量发生器采用非一致细胞自动机的结构实现。利用基于模拟退火的动态邻域扩展算法寻找优化的细胞自动机的拓扑连接关系,主要解决确定内建自测试向量发生器综合设计中常存在着对...
- 曹贝肖立伊王永生
- 关键词：细胞自动机内建自测试
- 文献传递
- 采用JTAG结构实现SoC芯片的片上仿真器及接口被引量：11
- 2002年
- 片上仿真(OnChipEmulation)是系统级芯片(System-on-a-Chip,SoC)进行调试与诊断的新型方法。文章讨论了一种采用JTAG结构实现SoC芯片片上仿真器的方法。此方法已应用于以CCORE为核心的SoC设计平台上。
- 王永生叶以正肖立伊巫镜廷
- 关键词：SOC芯片接口系统级芯片
- 用于红外接收系统跨阻前置放大器的直流干扰抑制电路
- 用于红外接收系统跨阻前置放大器的直流干扰抑制电路，属于电路设计领域，本发明是为解决红外接收系统的跨阻前置放大器对直流干扰的抑制方法存在抑制能力差的问题。本发明的回转器包括两个跨导运算放大器，第一跨导运算放大器的输出端与第...
- 喻明艳王永生徐丽来逢昌李景虎
- 文献传递
- 一种低工艺敏感度,高PSRR带隙基准源被引量：3
- 2008年
- 实现了一种高精度带隙基准源,该基准源在预调节电路中应用了电源行波减法技术,显著改善了输出电压的电源抑制比。提出了采用电流负反馈技术稳定预调节电路电流的方法,降低了带隙基准的温度特性和电源抑制比对阈值电压的敏感度。考虑晶体管阈值电压发生±20%变化的情况下,仿真得到的基准源的温度系数和电源抑制比变化分别只有0.11ppm和7dB。测试结果表明,该基准源在-20～100℃的范围内的有效温度系数为25.7ppm/℃,低频电源抑制比为-68dB。其功耗为0.5mW,采用中芯国际0.35μm5-V混合信号CMOS工艺实现,有效芯片面积为300μm×200μm。
- 李景虎王永生来逢昌
- 关键词：带隙基准源温度系数电源抑制
