王文生
- 作品数：38 被引量：114H指数：6
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- ９０年代阻容元件发展方向
- 王文生
- 关键词：电阻器电容器电位器
- InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作被引量：1
- 1999年
- 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。
- 胡明刘志刚张之圣王文生
- 关键词：INSB薄膜霍尔元件电子迁移率
- 磁阻效应及磁敏位置传感器被引量：3
- 1996年
- 本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。
- 张之圣胡明刘志刚王文生白花珍王聪修
- 关键词：磁阻效应位置传感器分辨率
- InSb磁阻元件与传感器的进展被引量：15
- 1994年
- InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。
- 王文生
- 关键词：传感器
- InSb磁敏传感器及其应用(上)被引量：1
- 1998年
- InSb是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,与其它半导体材料相比,具有较高的电子迁移率.因此,它不但适合制造霍尔器件和传感器,而且适合于制造磁敏电阻和传感器.本文简要介绍了InSb材料的特点,磁敏感效应,各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用.
- 王文生
- 关键词：锑化铟磁敏传感器
- 光敏器件及其应用
- 1989年
- 光敏器件是一种应用范围相当广的敏感元件。光是既有波动性又有微粒性的一种物质。光的粒子性表现在光电效应上,当一个光子射入到半导体中时,可将它的能量转移给电子,电子吸收了光子的能量,脱离原子核的束缚而参加导电过程,如果该过程只发生在半导体的内部,则称之为内光电效应;若该过程发生在半导体的外部,则称之为外光电效应。1.内光电效应。它包括两种现象:光电导效应及光生伏特效应。在室温条件下,半导体的导带只有一部分被电子占据着。当有足够能量的光子照射到半导体上时,满带中的电子吸收了光子能量。
- 王文生
- 关键词：光敏器件光敏电阻
- InSb磁阻元件的研制
- 1992年
- 报告InSb磁阻元件的设计制造与可靠性寿命试验,其失效率λ(t)<1×10^(-5)/h。
- 张之圣王文生胡明刘志刚
- 关键词：磁阻元件磁阻效应锑化铟
- InSb磁敏传感器及其应用(下)被引量：2
- 1998年
- 7、InSb磁敏旋转传感器 图14介绍了利用单个InSb磁敏电阻测量与旋转有关的物理量。在本节中介绍的旋转传感器在原理上和图14一样,但在结构上这种传感器是一个将电子线路、InSb磁敏电阻及永磁铁等组装在一起,接上电源和检测仪表便可应用的整体装置。 图33是一种用于柴油汽车上测量发动机转速的InSb磁敏旋转传感器,电路框图如图34所示。这种传感器的特点是耐高温和各种恶劣环境。工作温度范围为-40～+120℃,电源电压为12～32VDC。
- 王文生
- 关键词：磁敏传感器锑化铟传感器
- X射线光电子能谱技术及其应用被引量：2
- 1991年
- X射线光电子能谱技术已广泛地用来分析和研究各种电子材料和元器件的质量、表面污染、界面状态及失效物理等。为了让从事电子材料和元件科研及生产的工程技术人员了解这种分析技术,作者结合教学与科研工作的一些体会,对它的工作原理、仪器结构和具体应用等作一些简要介绍。
- 王文生
- 关键词：X射线光电子能谱分析电子器件
- 电阻器的表面温升被引量：1
- 1994年
- 电阻器在电子线路中应用时是一个典犁的电热转换元件。电流通过电阻器时所消耗的电能将全部转换为热能,并通过两种形式耗散掉。一种是通过导线的热传导,周围空气的对流和热辐射方式耗散热量;另一种是电阻器本身吸收之后。
- 王文生
- 关键词：电阻器表面温度
