王基石
- 作品数:5 被引量:9H指数:2
- 供职机构:贵州大学理学院更多>>
- 发文基金:贵州省科技攻关计划国家科技支撑计划贵州省农业攻关项目更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程理学更多>>
- 一种单片式CMOS汽车电子调节器被引量:4
- 2010年
- 基于BiCMOS工艺下研制一种单片式多功能集成电路汽车电子电压调节器。采用具有温度补偿特性的基准电压源代替稳压二极管来提供交流发电机输出取样电压。调节器设计成单片CMOS集成方式,减小了调节器的体积,使其可以和交流发电机制作在一起,提升了调节器的稳定性,提高了整车供电质量,有效延长了汽车电子设备的使用寿命。Spice仿真结果表明,该芯片完全达到所要求的技术指标。
- 王基石宁江华丁召
- 关键词:BICMOS工艺电压调节温度补偿基准电压源
- 低压CMOS带隙基准电压源设计被引量:1
- 2010年
- 基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。并基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果。
- 宁江华王基石杨发顺丁召
- 关键词:CMOS基准电压源低功耗
- 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计被引量:2
- 2010年
- 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
- 牛宗超杨发顺丁召王基石马奎张正平
- 关键词:带隙基准源温度系数CMOS
- 用于MBE中的反射式高能电子衍射仪被引量:1
- 2009年
- 对用于分子束外延(MBE)中的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述;针对样品盘与RHEED系统的兼容问题,对样品盘进行了新的设计,并进行了实验研究。
- 杨再荣潘金福周勋王基石宁江华丁召
- 关键词:分子束外延
- 700kHz/1.2MHz非调谐式振荡器被引量:1
- 2010年
- 在对传统的振荡器电路的分析比较基础上,提出并设计一种非调谐式振荡器。该振荡器利用迟滞比较器控制电容充电、放电的时间来产生振荡时钟,从而得到所需要的振荡波形。电路结构简单,面积小,易于集成,可以根据不同的控制信号,工作于1.2 MHz或700 kHz。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路基本符合设计指标。
- 王基石宁江华刘伟杰杨再荣周勋丁召
- 关键词:振荡器迟滞比较器