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王传敏

作品数：12 被引量：10H指数：2
供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇SIC
  • 3篇二极管
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇低导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇肖特基
  • 2篇沟槽
  • 1篇电压
  • 1篇电压控制
  • 1篇钝化
  • 1篇压控
  • 1篇优化设计
  • 1篇宇宙
  • 1篇宇宙射线
  • 1篇正向压降
  • 1篇直流
  • 1篇直流侧
  • 1篇直流侧电压
  • 1篇直流侧电压控...

机构

  • 11篇中国航天北京...
  • 6篇北京时代民芯...

作者

  • 12篇王传敏
  • 4篇王成杰
  • 2篇冯幼明
  • 2篇殷丽
  • 2篇殷丽
  • 1篇孙金池
  • 1篇杨小兵
  • 1篇门永娟

传媒

  • 10篇电力电子
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇电源世界

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铂、金掺杂对快恢复二极管性能的影响被引量：1
2010年
本文介绍了各类寿命控制技术,重点阐述了铂、金掺杂的特点。通过对试验结果的讨论,分析了扩铂、扩金方法对反向恢复时间t_(rr)、正向压降V_F以及反向漏电流I_R等参数的影响,最终确认在高可靠性产品中扩铂是二者中的优选方法。
门永娟王传敏
关键词：反向恢复时间正向压降反向漏电流
600V工作的高效率GaN产品
2011年
本文主要介绍了新型600V量级器件工作的高效率GaN产品应用。
Ertugrul SonmezUlrich HeinleMike KunzeIngo Daumiller王成杰王传敏
关键词：GANPFC
基于SiC材料的BJT作为高效功率器件的复兴
2012年
SiC BJT代表了最具吸引力的SiC开关结构之一,具有很低的电阻系数、较快的开关速度以及较小的温度依赖性。其良好的短路能力及不存在二次击穿可实现器件可靠工作。我们对与实际应用直接相关的器件性能进行了详细研究,并对以降耗为目的的驱动解决方案进行了测试。鉴于光伏系统降低成本的压力不断增加,我们额外进行了以实现节约为目的的实验,不仅基于SiC技术,同时包括新型磁芯材料方面。为此,我们在实验室中对一个额定功率为17kW的小型升压转换器进行了测试,并在本文中给出了结果。
Samuel AraujoLucas MenezesTomas HjortPeter Zacharias王成杰王传敏
关键词：SIC光伏系统
高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块
2011年
减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性,并且应用简单、成本适当。本文介绍了利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。
Daniel DomesChristoph MesselkePeter Kanschat冯幼明王传敏
关键词：JFET肖特基势垒二极管
抗宇宙射线的高压IGBT模块的优化设计
2011年
高压功率半导体器件在高压条件下工作时会出现由宇宙射线辐射引起的失效[1-3],该现象在1994年被第一次描述,现已得到证实。这种现象被称为单离子烧毁(SEB),属永久性失效。IGBT电压范围已逐渐升高到6.5kV,将不可避免地遇到由宇宙射线引起的失效问题。考虑在宇宙射线下的长期直流电压稳定性(LongTerm DC volt-age Stability,简称LTDS)已成为高压IGBT(HVIGBT)的设计重点。本文介绍了一种既能提高LTDS性能、又不牺牲电学特性的6.5kV高压HVIGBT模块的设计方法,同时报告了加速中子辐照实验的验证和分析结果。
Hitoshi UemuraShinichiluraKatsumi NakamuraMinho KimEugen Stumpf殷丽王传敏
关键词：宇宙射线IGBT
为高效高可靠开关优化的一种成熟的1200V SiC JFET技术
2011年
在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。
J.HilsenbeckF.BjorkW.Bergner王成杰王传敏
下一代功率模块用新型1.7kV CSTBT^(TM)(Ⅲ)
2011年
功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高,且已经非常接近物理极限。作为下一代IGBT功率模块,我们已经在1.2kV级别上提出了CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层(载流子存储层)倒退型掺杂分布。基于CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,我们优化了1.7kV级的MOS结构,同时改进了为发射极电极表面新开发的平坦化技术,以扩大功率循环能力。
Kenji SuzukiTetsuo TakahashiRyoichi FujiiKoichi TsurusakoYoshifumi Tomomatsu王成杰王传敏
关键词：直流侧电压控制
高压功率FRED结终端保护技术及其组合优化设计
2010年
场板与场限环是用来提高功率FRED抗电压击穿能力的常用终端保护技术,本文分别介绍场板与场限环结终端结构原理和耐压敏感参数,然后采取场板和场限环的互补组合,通过Synopsis公司MEDICI4.0仿真工具优化设一款耐压1200V的FERD器件终端结构,最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性。
殷丽王传敏
关键词：场板场限环
工艺参数对Si深槽刻蚀的影响被引量：6
2009年
采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适当增加刻蚀阶段钝化气体通入时间对减小线宽损失有很大的作用,但增加过多会产生长草效应;合适的刻蚀和钝化工艺重叠时间,不仅可以减小侧壁表面的起伏度,还可以一定程度上减小线宽损失。采用刻蚀/钝化比为7:5、刻蚀阶段钝化气体通入时间为25min、刻蚀、钝化工艺重叠时间分别为0.5、1s的工艺条件,成功地实现了一个垂直度达(90±0.1)°、深40μm、线宽损失小于50nm的Si深槽刻蚀结构。
杨小兵王传敏孙金池
超低导通电阻RON的SiC沟槽器件被引量：2
2012年
本文介绍了下一代碳化硅(SiC)平面MOSFET、沟槽结构肖特基二极管和沟槽MOSFET器件。首先,开发了SiC平面MOSFET,可以抑制在正向电流通过时引起寄生PN结二极管的劣化。其次,开发了新型沟槽SiC肖特基二极管,与传统SiC二极管相比,在可接受的漏电流条件下,具有更低的正向压降。第三,开发了新型双沟槽结构SiC MOSFET,在保持超低导通电阻的同时提高了器件的可靠性,其主要原因在于新结构有效降低了槽栅底部的最大电场强度,抑制了栅氧的击穿。
殷丽王传敏
关键词：SIC肖特基二极管
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