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熊锐
作品数:
23
被引量:38
H指数:3
供职机构:
华中理工大学电子科学与技术系
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发文基金:
国家教育部博士点基金
“上海-应用材料研究与发展”基金
武汉市青年科技晨光计划
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相关领域:
自动化与计算机技术
化学工程
理学
一般工业技术
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合作作者
李佐宜
武汉工业大学
胡作启
华中科技大学
杨晓非
华中理工大学电子科学与技术系
邱进军
华中理工大学电子科学与技术系
易开军
华中理工大学电子科学与技术系
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武汉工业大学
作者
20篇
熊锐
18篇
李佐宜
12篇
胡作启
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刘卫忠
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第十届全国磁...
年份
2篇
2000
4篇
1999
10篇
1998
4篇
1997
共
23
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反应溅射DyFeCo薄膜的界面特征及其对磁光特性的影响
被引量:1
1998年
采用RF磁控溅射方法制备了一系列AlN/DyFeCo/glass多层磁光薄膜。扫描电镜分析表明,随着溅射DyFeCo薄膜时氩气压的增大,AlN/DyFeCo界面的粗糙程度增大。进一步的研究表明,界面粗糙程度的改变对磁光多层膜的磁光特性影响很大,界面越粗糙,矫顽力从越大,反射率R越低,而克尔角θk首先随表面粗糙程度的增大而增大,到达一极大值然后再随表面粗糙程度的增大而减小。
熊锐
李佐宜
胡作启
杨晓非
王可
关键词:
矫顽力
反射率
磁光盘
XPS研究溅射氩气压对玻璃基DyFeCo/AlN磁光记录薄膜成分的影响
用X射线光电子能谱(XPS)研究了射频磁控溅射法在玻璃基表面上制备的DyFeCo/AlN磁光记录薄膜的表面成分随溅射氩气压的变化关系。
赵青南
赵修建
熊锐
李佐宜
文献传递
网络资源链接
层状钙钛矿铁电薄膜的结构及性能研究
被引量:1
1999年
介绍了SrBi2Ta2O9系列层状钙钛矿铁电薄膜的结构、性能、制备方法以及研究进展。
卢德新
熊锐
刘卫忠
徐则川
关键词:
层状钙钛矿
铁电薄膜
Ti_(1-x)Al_xN薄膜的制备及性能研究
被引量:2
1998年
介绍了利用反应溅射法制备Ti1-xAlxN薄膜的工艺过程,测量并分析了Ti1-xAlxN薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明,Ti1-zalxN薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Al含量x的增加而减小,电阻率则随x的增加而增大。并从薄膜的基本结构变化过程对实验结果作出解释。
熊锐
李佐宜
胡作启
杨晓非
徐瑛
林更琪
胡用时
关键词:
光学性质
电阻率
磁光盘抗腐蚀研究的进展
1997年
介绍了国内外磁光盘抗腐蚀研究的进展,比较了目前常用的几种保护材料的基本特性,分析了对磁光盘进行优化设计的关键技术,在对现有的磁光保护层材料的不足进行分析的基础上,预测了磁光盘保护材料研究发展的未来趋势。
熊锐
李佐宜
杨晓非
关键词:
磁盘
抗腐蚀
磁光盘
NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究
被引量:1
1998年
用直流磁控反应溅射制备NiO/NiFe双层膜。在保持NiFe层的厚度20nm不变的条件下,发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性,由于底盘旋转等因素的影响,NiO(70nm)/NiFe(20nm)双层结构仍显示较好的单向各向异性,交换耦合场可达30Oe以上。通过改变NiO层的厚度、溅射气体Ar分压以及溅射气体与反应气体的比例Ar/O2,研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。
卢志红
邱进军
荀坤
吴丹丹
姚新华
熊锐
周健
李佐宜
沈德芳
关键词:
双层膜
磁光直接重写技术原理分析
被引量:2
1998年
讨论了磁光记录直接重写技术的两种主要机理,即磁场调制直接重写和光强调制直接重写,分析了它闪的优缺点。并对多层膜交换耦合原理及其在光强调制直接重写中各层的作用进行了详细讨论。光强调制技术具有更多方面的优越性,它将是未来提高磁光数据传输率的主要研究方向。
易开军
李佐宜
熊锐
胡作启
关键词:
磁光
数据传输率
磁光存储
静态磁光薄膜表面温度场的有限元法分析
1998年
建立了磁光薄膜在脉冲激光作用下的传热模型,利用有限元法对磁光薄膜表面的温度场进行了模拟计算,讨论了磁光薄膜在不同环境温度下的升温特性,这些结果可以用于对磁光薄膜宽温化、表面温度特性、磁光记录畴尺寸和表面形貌等的研究。
杨晓非
李佐宜
熊锐
胡作启
彭子龙
关键词:
有限单元法
磁光存储
磁记录
光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究
被引量:1
2000年
本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。
王可
李佐宜
胡作启
林更琪
熊锐
杨晓非
李震
王翔
易开军
朱全庆
胡煜
关键词:
光调制
TiAlN 保护膜的制备及结构研究
被引量:6
1998年
用反应磁控溅射方法制备了TiAlN薄膜,结构分析表明,当Ti的含量小于0.25时,TiAlN薄膜是Al基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ti原子含量的增加而增大.X射线光电子能谱分析表明,TiAlN薄膜有与AlN和TiN不同的电子结构特征.
胡作启
李佐宜
熊锐
徐瑛
关键词:
X射线
光电子能谱
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