梁园园
- 作品数：10 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国科学院广州能源研究所更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程环境科学与工程更多>>
- 基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法
- 一种基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法，薄膜包括阻隔层SiO<Sub>2</Sub>薄膜层，其特征是还包括至少一层TiO<Sub>2</Sub>光催化剂薄膜层和至少一层金属离子掺杂TiO<Sub>2...
- 梁园园李新军王良焱张琦郑少健黄琮
- 文献传递
- 连续式智能控制光催化水质深度净化装置
- 一种连续式智能控制光催化水质深度净化装置，包括箱体(11)、光催化立式反应器(8)、自动调节阀(2)、前置过滤器(3)、水位控制器(5)、集线器(6)等；其特征是光催化立式反应器包括反应器壳体(8－15)、紫外灯(8－1...
- 何明兴王良焱李新军张开坚郑少健黄琮张琦梁园园
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- 基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法
- 一种基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法，薄膜包括阻隔层SiO<Sub>2</Sub>薄膜层，其特征是还包括至少一层TiO<Sub>2</Sub>光催化剂薄膜层和至少一层金属离子掺杂TiO<Sub>2...
- 梁园园李新军王良焱张琦郑少健黄琮
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- TiO_2催化剂薄膜背光催化的研究被引量：5
- 2005年
- 利用TiO2 催化剂薄膜进行光催化反应时,根据光照方式的不同可分为正光催化和背光催化.两者相比,背光催化可以避免光在溶液中的衰减而造成的光能损失.本文研究了背光催化时薄膜的厚度,光源波长的选择,及其非均掺杂V对催化效率的影响,同时与正光催化的情况作了比较.结果表明:与正光催化明显不同,背光催化时催化剂薄膜厚度对应于光源波长有一个最佳值,光源波长也只能选择大约在30 0～388nm之间;非均匀掺杂情况与正光催化相同,能提高薄膜的催化效率.
- 岑继文李新军梁园园何明兴郑少健冯满枝
- 关键词：光催化二氧化钛薄膜厚度
- 具有可见光活性的TiO_2薄膜的制备及光催化性能被引量：11
- 2002年
- 运用磁控溅射技术在浸渍-提拉法制得的TiO2薄膜上溅射三氧化钨层得到光催化薄膜。采用SEM、XRD、AES、UV-vis漫反射光谱等方法表征催化剂薄膜的厚度、晶相结构、化学元素组成及光吸收性能。以甲基橙的光催化降解为反应模型,高压汞灯为光源,溅射有三氧化钨薄膜的光催化活性低于纯TiO2薄膜;滤过紫外光后,溅射有三氧化钨的薄膜光催化活性明显高于纯TiO2薄膜。本实验提供了一种制备高可见光活性的TiO2薄膜的方法。
- 张琦王良焱李新军李芳柏何明兴梁园园
- 关键词：光催化性能可见光活性二氧化钛磁控溅射氧化钨
- 基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜
- 2004年
- 该专利是一种基体上金属离子非均匀掺杂二氧化钛光催化剂薄膜及其制备方法。
- 梁园园李新军王良焱张琦
- 关键词：二氧化钛光催化剂掺杂金属离子非均匀
- 在圆管基材上制备光催化剂薄膜的旋转浸渍提拉法
- 本发明涉及一种在圆管基材上制备光催化剂薄膜的旋转浸渍提拉法，它包括下列步骤：(a)圆管基材的清洁和干燥处理；(b)根据光催化剂薄膜结构的需要在圆管基材上制备或不制备SiO<Sub>2</Sub>底层薄膜法；(c)采用溶胶...
- 梁园园何明兴李新军王良焱张琦黄琮郑少健
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- 基体上可见光活性的光催化剂薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种基体上可见光活性的光催化剂薄膜，它包括SiO<Sub>2</Sub>层及光催化剂层，光催化剂层的表面沉积了金属或金属氧化物或氮，对光催化剂掺杂改性。还涉及制备方法：(a)用溶胶—凝胶法等在基体上制备SiO<...
- 张琦王良焱李新军何明兴梁园园
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- 制备工艺对WO_3/TiO_2薄膜可见光催化活性的影响被引量：23
- 2002年
- 采用磁控溅射技术在浸渍提拉法制得的TiO2 薄膜上溅射WO3 层 ,通过不同制备工艺控制W在TiO2晶体中的分布。UV VIS透射光谱表明 ,在可见光范围内溅射有WO3 层的薄膜有不同程度的吸收光谱红移现象。并理论计算出带隙能 ,溅射WO3 层使薄膜的带隙能变小。甲基橙光催化降解实验表明 ,以焙烧—溅射—热处理 5h工艺制备的WO3 /TiO2 薄膜可见光活性最佳 ,W从薄膜表面到内层的浓度递减分布。讨论了不同制备工艺引起的W在薄膜内部的不同分布对光催化活性的影响。
- 张琦李新军李芳柏王良焱梁园园
- 关键词：可见光催化活性二氧化钛磁控溅射氧化钨
- 不同掺铁方式对TiO_2薄膜光催化活性的影响被引量：10
- 2002年
- 采用溶胶凝胶工艺在普通玻璃表面制备出表面掺铁与体相掺铁的TiO2 薄膜。运用SEM ,XRD和AES等技术研究了复合薄膜的表面特征。以光催化降解甲基橙溶液为模型反应 ,表征薄膜的光催化活性。结果表明 :体相掺铁时 ,薄膜的最佳n(Fe) /n(Ti)为 0 .12 %;表面掺铁时 ,薄膜的最佳n(Fe) /n(Ti)为 1.5 %。表面掺铁薄膜的最佳光催化表观速率常数比体相掺铁的最佳值要高 1.5倍。并从载流子分离效率等方面进行了机理探讨。
- 梁园园李新军王良焱李芳柏柳松张琦
- 关键词：TIO2薄膜二氧化钛薄膜光催化活性半导体
