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杨世明

作品数:7 被引量:16H指数:3
供职机构:清华大学工程物理系更多>>
相关领域:核科学技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇核科学技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇剂量率
  • 2篇电流
  • 2篇信号
  • 2篇弱电流
  • 2篇自动测量
  • 2篇暗电流
  • 2篇PIN
  • 2篇BES
  • 1篇电流计
  • 1篇读出
  • 1篇性能研究
  • 1篇束流
  • 1篇探测器
  • 1篇退火
  • 1篇总线
  • 1篇积分放大器
  • 1篇光电
  • 1篇恒流
  • 1篇恒流源
  • 1篇辐照强度

机构

  • 7篇清华大学
  • 6篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 7篇杨世明
  • 5篇李金
  • 5篇邵贝贝
  • 4篇龚光华
  • 3篇宫辉
  • 1篇谢小希
  • 1篇李裕熊
  • 1篇张建

传媒

  • 3篇核电子学与探...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇核技术
  • 1篇全国计算机在...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
PIN半导体剂量率探测器的研究被引量:3
2007年
利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京谱仪BESIII的剂量率在线检测奠定基础。
杨世明李金宫辉邵贝贝
关键词:剂量率暗电流
PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究被引量:6
2006年
在X、γ射线的剂量或剂量率测量场合,常用到PIN硅光电二极管。比起传统的电离室等,它有体积小、灵敏度高、成本低、不需要高压等优点;与计数管、闪烁探测器相比,其电流输出的特性可以避免脉冲场下的死时间问题。但大剂量照射造成的辐射损伤是影响其性能的最大因素。以XRB100s-CB380为例,通过试验研究了PIN硅光电二极管的特性,包括灵敏度、偏压影响、温度补偿、辐射损伤及退火等,并简单介绍了实际应用中对输出电流信号的处理方法。
杨世明龚光华邵贝贝李金
关键词:暗电流剂量率
BESIII剂量率在线检测和保护系统读出电子学设计被引量:7
2006年
为保护束流管,BESIII将使用PIN硅光电二极管来实时检测对撞点附近的剂量率水平,其中的信号读出电子学采用电流A/D转换方案。对几种弱电流放大与测量方法进行了比较,主要介绍了电流A/D方法的工作原理、软硬件实现以及实际性能。
杨世明龚光华邵贝贝李金
关键词:A/D转换积分放大器
BESⅢ晶体量能器累积剂量检测系统电子学设计
2007年
为了在线测量北京谱仪BESⅢ中的量能器所受到的辐射累积剂量,设计了BESⅢ量能器累积剂量检测系统。讨论了几种RADFET受照电路的优缺点,介绍了RADFET读出电路,并详细叙述了系统电子学的设计及其性能。
宫辉李金邵贝贝龚光华杨世明
关键词:恒流源
如何实现弱电流信号的自动测量和记录
如果仪器自带IEEE-488接口,便可编程实现仪器与PC机之间的通讯,本文介绍了如何使用ANSI C语言,基于IEEE-488总线,通过PC机来控制Model6485 pA电流计,从而实现一种弱电流的自动测量方案。
杨世明张建
关键词:IEEE-488SCPI
文献传递
400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究被引量:2
2007年
RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量.探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握.本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础.
宫辉李金杨世明邵贝贝龚光华李裕熊谢小希
关键词:退火
如何实现弱电流信号的自动测量和记录
如果仪器自带IEEE-488接口,便可编程实现仪器与PC机之间的通讯,本文介绍了如何使用ANSIC语言,基本IEEE-488总线,通过PC机来控制Model6485pA电流计,从而实现一种弱电流的自动测量方案.
杨世明张建
关键词:电流计IEEE-488总线
文献传递
共1页<1>
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