李胜斌
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 基于β-FeSi_2的(Fe,M)Si_2三元合金相形成规律被引量：2
- 2010年
- 二元β-FeSi2相是一种重要的窄带半导体型金属硅化物,研究了基于该二元相的三元合金的形成规律,以丰富其材料范围.首先,利用团簇线判据作为理论依据,选取一个团簇和一个连接原子构成的模型,添加不同的第三组元作为连接原子,设计了Fe3Si8M(M=B,Cr,Ni,Cu,Co,Al)系列合金成分,即用添加组元替代二元相中的Fe连接原子.然后,用真空吸铸和真空甩带方法制备合金棒以及薄带,以获得无成分偏析的均匀合金.微结构及成分分析显示β相可以溶入摩尔含量为15%—20%的Ni,4%—13%的Cu,7%—10%的Co以及7%—10%的Cr.添加的Al取代了化学式中Si的位置,在该模型下制备β相物质添加Al是不可行的.在薄带试样Fe3Si8B和Fe3Si8Cr中有微量的非晶颗粒,表明在急冷条件下B和Cr的添加有利非晶的形成.
- 李胜斌李晓娜董闯姜辛
- 关键词：Β-FESI2三元合金
- Fe3Si8M型块体三元合金及非晶薄膜制备及表征
- 研究发现非晶态FeSi2有着与β-FeSi2相似的半导体性能,室温下有0.89～0.90eV的直接带隙。这一发现大大提高了该材料的实际应用价值,具有半导体特性的非晶态FeSi2将有更好的发展前景。本文正是出于非晶态半导体...
- 李胜斌
- 关键词：三元合金非晶薄膜
- 文献传递
- Fe<sub>3</sub>Si<sub>8</sub>M型块体三元合金及非晶薄膜制备及表征
- 研究发现非晶态FeSi2有着与β-FeSi2相似的半导体性能,室温下有0.89～0.90eV的直接带隙。这一发现大大提高了该材料的实际应用价值,具有半导体特性的非晶态FeSi2将有更好的发展前景。本文正是出于非晶态半导体...
- 李胜斌
- 关键词：三元合金非晶薄膜
- 磁控溅射法制备β型Fe_3Si_8M系三元薄膜被引量：2
- 2012年
- 二元β-FeSi2是一种非常有潜力的环境友好型半导体,但由于是线性化合物,所以很难制备较高质量的β单相.本文从β-FeSi2相的基本团簇出发,利用"团簇+连接原子"结构模型,设计制备了Fe3Si8M(M=B,Cr,Ni,Co)系三元薄膜.研究了Fe3Si8M系三元薄膜的结构、成分和光电特性.结果表明,溅射态薄膜都为非晶态,经850C/4h退火后可全部转换为晶态,引入的第三组元M不同会影响退火后的相转变和结晶质量,Cr和B为第三组元时可实现单一β相,Co作为第三组元时,薄膜以α相为主表现为金属特性.B,Cr和Ni作为第三组元的样品中半导体性质都有不同程度的体现,但相比较而言,Fe2.7Si8.4B0.9薄膜的半导体性能最为明显,其电阻率为0.17·cm、载流子浓度为2.8×1020cm3、迁移率为0.13cm2/V·s,带隙宽度约为0.65eV.所以引入合适的第三组元可以扩展β相相区,并实现晶态三元β型硅化物薄膜与二元β-FeSi2薄膜的半导体性能相近.
- 李晓娜郑月红李胜斌董闯
- 关键词：Β-FESI2磁控溅射非晶薄膜
