李海麒
- 作品数：5 被引量：23H指数：2
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：广西高校百名中青年学科带头人计划项目广西信息材料重点实验室主任基金广西教育厅科研项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 靶材自制ZAO薄膜的制备与光电性能被引量：4
- 2008年
- 采用传统陶瓷烧结工艺,制得性能良好的Al掺杂ZnO陶瓷靶。以此靶为溅射源,利用射频磁控溅射法制备ZAO薄膜,着重研究了400℃保温2 h重复退火次数对ZAO薄膜的组织结构及光电性能的影响。结果表明,随着重复退火次数的增加,薄膜晶体结构保持不变,薄膜结晶质量提高,但晶格尺寸逐渐变小;同时,随着退火次数增加,样品的平均透光率虽稍下降,但所有样品的透光率仍保持在80%以上,呈现良好的透光性;除经3次重复退火的样品外,退火使其它样品的紫外吸收边从375 nm附近移至360 nm左右;重复退火次数的增加使样品的电阻率先明显降低,再有较大的回升,之后又降低,当重复退火两次时,电阻率降至最低,为8.5×10-4Ω.cm。对上述现象、结果及机理进行了详细讨论。
- 江民红刘心宇李海麒
- 关键词：ZAO薄膜射频磁控溅射电阻率透光率
- ZnO基透明导电薄膜的制备及其结构、性能研究
- 透明导电(TCO)薄膜材料被广泛应用于半导体集成电路、平面显示器、抗电涂层等诸多领域,市场规模巨大。目前应用的Ⅱ、O薄膜,成本较高,有毒性,在氢等离子体不稳定等缺点限制了它的推广和应用。相比之下,Zn0基TCO薄膜,原料...
- 李海麒
- 关键词：磁控溅射法电阻率透光率
- 文献传递
- 常压固相烧结法制备ZAO靶材及其性能的研究被引量：21
- 2008年
- 采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能的影响,并使用自制靶材,采用射频磁控溅射法镀膜.结果表明:Al2O3的掺杂没有破坏ZnO晶体结构,Al原子对Zn原子进行有效替位;晶粒尺寸随着掺杂量的增多而减小;靶材的电阻率随掺杂量的增加呈U型变化,在3wt%时取得最小值4.2×10-2Ω.cm;靶材致密度超过96%.使用该靶材生长的多晶ZAO薄膜具有(002)择优取向,结晶均匀,呈柱状生长,薄膜电阻率和可见光平均透射率可分别达到8×10-4Ω.cm～9×10-4Ω.cm和85%.图9,表1,参14.
- 刘心宇李海麒江民红
- 关键词：ZAO薄膜陶瓷靶材微观结构
- 真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律。结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强。延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响。随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω.cm,但长时间退火,电阻率变化不大。薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上。退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大。
- 江民红刘心宇成钧周秀娟李海麒
- 关键词：真空退火透明导电薄膜
- 陶瓷基刹车片陶瓷化高温处理工艺
- 本发明公开了一种陶瓷基刹车片陶瓷化高温处理工艺，基体陶瓷化处理采用分段式梯度升温，将刹车片1.8-2.2小时内升温到155-165℃，保温0.8-1.2小时，1.8-2.2小时升温到190-210℃，保温1.8-2.2小...
- 刘伯威李海麒曾军
- 文献传递
