李志强
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- GaAs(001)衬底上生长立方GaN的Raman光谱及X射线研究
- 李志强陈弘刘洪飞刘双李建华黄绮周均铭
- 关键词：GAAS(001)衬底立方GANRAMAN光谱X射线
- 非晶态Fe_(86)M_4Zr_(10)合金的磁性和电性被引量：2
- 1990年
- 本文研究了非晶态Fe_(86)M_4Zr_(10)(M=V,Cr,Mn,Fe,CO,Ni,Cu,B,Si)合金的基本磁性和低温电性,讨论了不同元素M的掺杂对FeZr合金居里温度和磁矩的影响,并用相干交换散射模型解释了样品在居里温度附近出现的电阻率极小。
- 李志强陈金昌赵见高沈保根李德修
- 关键词：非晶态合金磁性电性
- GaAs衬底上外延立方GaN的电镜分析
- 万里陈弘段晓峰李志强刘洪飞黄绮周均铭
- 关键词：GAAS衬底GAN生长电镜分析
- 文献传递
- 利用MBE在GaAs衬底上生长高质量立方GaN
- 陈弘李志强刘洪飞刘双万里黄绮周均铭
- 关键词：MBEGAASGAN生长
- 文献传递
- GaAs衬底上用MBE生长立方相GaN及其物性研究
- 该文系统介绍了III-V族氮化物材料的物性和基于该材料体系的基本器件结构. 叙述了用于生长氮化物的射频源分子束外延设备的原理和构造.在此基础上,详细讨论了作者在如下几个方面的工作:1、利用射频源分子束外延设备生长高质量的...
- 李志强
- 关键词：III-V族氮化物高分辨X射线衍射光荧光谱
- 文献传递
- 全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长(英文)被引量：1
- 2002年
- 我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算 ,我们确定了这些团簇独特的原子结构 ,阐明了这些结构的形成机理。
- 贾金锋厉建龙梁学锦刘熙王俊忠刘洪窦瑞芬徐茂杰潘明虎李绍春薛其坤李志强John S Tse张振宇张绳百
- 关键词：扫描隧道显微镜分子束外延纳米团簇
- GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜被引量：7
- 2000年
- 采用分子束外延方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长出了 0 3微米厚的GaN薄膜 ,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明 ,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜 .
- 刘洪飞陈弘李志强万里黄绮周均铭罗毅韩英军
- 关键词：砷化镓分子束外延生长氮化镓薄膜
- 杂质对铁和锰铋电子结构影响的研究
- 李志强
- 关键词：铁电子结构
