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李志国
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国航天北京微电子技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
岳素格
中国航天北京微电子技术研究所
孙永姝
中国航天北京微电子技术研究所
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2009
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深亚微米工艺ESD电路设计参数研究
被引量:2
2009年
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本.
李志国
岳素格
孙永姝
关键词:
ESD
NMOS
击穿
仿真
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