李云
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程经济管理更多>>
- 多晶硅太阳电池新型表面光学系统的研制
- 用低成本的碱性腐蚀液制作太阳能级多晶硅片表面陷光结构，再匹配合适的双层氮化硅减反射膜，构成新型多晶硅表面光学系统。由NaOH∶NaNO2=1∶1（质量比，75～80℃）腐蚀25秒，用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AF...
- 李云
- 关键词：多晶硅太阳电池光学系统
- 文献传递
- 单源共蒸法制备CuInS_2薄膜及特性分析
- 2012年
- 将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜。氮气保护对薄膜进行热处理。研究不同热处理条件对薄膜表面形貌、化学组分及电学特性的影响。XRD分析给出直接沉积的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,整体性能较差。经400℃、20 min热处理后,CuInS2薄膜特性得到明显的改善,导电类型呈P型,体内元素化学计量比Cu:In:S=1:0.9:1.5接近标准值,Cu含量略多,电阻率为4.8×10-2Ω.cm,薄膜的直接光学带隙1.42 eV,光吸收系数105cm-1。440℃、10 min热处理的薄膜,晶相结构没变但导电类型转为N型,元素化学计量比Cu:In:S=1:2.3:0.8,In元素过量,电阻率为1.3×10-2Ω.cm,光吸收系数104cm-1,直接光学带隙1.39 eV。
- 李云李健谢俊叶
- 关键词：特性分析
- Zn掺杂Sn_2S_3薄膜的特性被引量：2
- 2012年
- 高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为60.5(Ω·cm),比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn 9%(质量分数)薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。
- 李云李健王艳
- 大同市中小企业贷款难的问题及对策研究
- 中国经济从计划经济到市场经济的经济体制改革不断深入推进，中小企业在这样更加广阔的空间内，国内的中小企业更加快速的成长。但是中小企业只有非常低的比例的金融资源可以加以利用，就是因为必需的资金难以筹措，许多中小企业即使有可以...
- 李云
- 关键词：中小企业银行贷款融资环境
- 晶硅太阳电池表面光学系统的研制
- 理法、化学法提纯的多晶硅进行酸和碱性腐蚀制绒,掌握冶金硅电池表面酸性制绒的最优工艺.PECVD 沉积双层SiNx 减反射膜,组成有效的电池表面光学系统.扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计和椭偏仪测试各种绒面的表面形貌、反...
- 李云谢俊叶马承宏李健
- 关键词：碱腐蚀减反射膜反射率
