曹玉莲
- 作品数：47 被引量：63H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生理学一般工业技术更多>>
- 片上双程增益光放大装置及其制备方法
- 本公开提供一种片上双程增益光放大装置及其制备方法，装置包括：硅基马赫‑曾德尔干涉仪和半导体光放大器；其中，硅基马赫‑曾德尔干涉仪包括：长臂硅波导和短臂硅波导；长臂硅波导与半导体光放大器相连接，用于输入信号光，并耦合信号光...
- 石文奇邹灿文曹玉莲刘建国
- 键合界面对面发射激光器光与热性质的影响
- 2008年
- 通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度>40nm,对器件的光、热特性不利.
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠
- 关键词：面发射激光器热导率电导率键合界面
- 长波,甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
- 我们已经生长出质量极高的长波、甚长波超晶格材料,XRD 表明长波、甚长波p-i-n 型器件结构的X 射线双晶衍射卫星峰半高宽分别为17 和21 弧秒,应变都在10-4 量级,两个器件在77K温度下,50％截止波长分别为9...
- 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐
- 高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵被引量：6
- 2007年
- 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.
- 王青曹玉莲何国荣韦欣渠红伟宋国峰马文全陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器列阵阈值电流发散角大功率
- n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合被引量：1
- 2007年
- 采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.
- 李慧何国荣渠红伟石岩种明曹玉莲陈良惠
- 关键词：光电集成直接键合GAASGAN
- 键合界面对面发射激光器的光、热性质影响被引量：3
- 2007年
- 分析了采用双面键合长波长面发射激光器时,键合界面光吸收系数和电、热导率的变化对器件的光、热性质的影响。对于1λ光学腔的面发射激光器,键合界面吸收系数对器件光学性能影响较大,而对于1.5λ光学腔的面发射激光器,其光学性能基本不受键合界面吸收系数的影响。由有限元方法对面发射激光器的温度分布计算结果可知,当键合界面电、热导率小于GaAs电、热导率的1%时,激光器有源层的温度会有较大的上升。
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠
- 关键词：键合面发射激光器热导率
- 把二类超晶格探测器的探测波长推到1微米
- 我们报道短波InAs/GaAsSb 二类超晶格pin 结构的红外探测器.我们用8K·P 理论计算了超晶格结构,根据我们的计算在77K,e1-hh1 跃迁波长为1.26 um,与我们在77K 温度测的PL 峰值1.2 um...
- 张艳华马文全黄建亮曹玉莲刘珂黄文军赵成诚
- 大功率半导体激光器的可靠性研究被引量：8
- 2003年
- 对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的 915nm和无铝的 80 8nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验。在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流 ,发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的阈值电流降低 2 5 %以上。在 1 2倍阈值电流下 ,恒流老化 40h左右 ,老化后再分别测试它们的阈值电流、功率参数 ,我们发现在老化后未镀膜的激光器的阈值电流和镀有腔面膜的激光器相比增加 2 5mA以上 ,输出功率也比镀过腔面膜的减小到了原来的 1/ 2 ,可见腔面保护对于延长激光器的寿命是很重要的。
- 曹玉莲王乐廖新胜程东明刘云王立军
- 关键词：大功率半导体激光器可靠性
- 边发射激光器及其制备方法
- 本公开提供了一种边发射激光器及其制备方法，可以应用于光电子器件领域。边发射激光器，包括：N面金属电极，设置于边发射激光器的底板上；谐振腔，设置于N面金属电极上；P面金属电极，设置于谐振腔上；其中，P面金属电极包括：第一增...
- 吴梦影曹玉莲刘建国
- 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器被引量：1
- 2006年
- 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH)的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长.在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(Incarry-overeffect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量.器件的阈值电流从界面改善前的560mA减小到改善后的450mA,斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A,特别是单面最大输出功率已经从370mW增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA上升为1820mA.
- 曹玉莲廉鹏王青吴旭明何国荣曹青宋国峰陈良惠
- 关键词：增益阈值电流激光器
